特許

J-GLOBAL ID：201903013608951919

エッチングストップ層及び半導体デバイスの製造方法

発明者： 中村 真也 ,  逸見 充則 ,  藤井 佳詞 ,  池田 佳広
出願人/特許権者： 株式会社アルバック
代理人 (1件)： 特許業務法人青莪
公報種別：再公表公報
出願番号（国際出願番号）：JP2018008299
公開番号（公開出願番号）：WO2018-173718
出願日： 2018年03月05日
公開日（公表日）： 2018年09月27日
要約：

ウェットエッチングされるときに優れた制御性を持つエッチングストップ層及び半導体デバイスの製造方法を提供する。 ドライエッチングにより被エッチング層Leを一方向にエッチングするときに被エッチング層のエッチング進行方向前側に積層される本発明のエッチングストップ層Lsは、ボロンまたはイットリウムを20〜50重量%含有する酸化アルミニウム膜(BAlOx膜,YAlOx膜)で構成される。

請求項（抜粋）：

ドライエッチングにより被エッチング層を一方向にエッチングするときに被エッチング層のエッチング進行方向前側に積層されるエッチングストップ層において、 エッチングストップ層が、ボロンまたはイットリウムを20〜50重量%含有する酸化アルミニウム膜で構成されることを特徴とするエッチングストップ層。

IPC (5件)：

H01L 21/306 ,  H01L 27/115 ,  H01L 21/336 ,  H01L 29/788 ,  H01L 29/792

FI (4件)：

H01L21/302 301 ,  H01L21/306 D ,  H01L27/11582 ,  H01L29/78 371

Fターム (22件)：

5F004AA02 ,  5F004DA01 ,  5F004DA02 ,  5F004DA16 ,  5F004DA26 ,  5F004DB02 ,  5F004DB03 ,  5F004EA23 ,  5F004EB08 ,  5F043AA37 ,  5F043BB25 ,  5F083GA27 ,  5F083PR03 ,  5F083PR05 ,  5F083PR06 ,  5F083PR21 ,  5F083PR22 ,  5F101BD16 ,  5F101BH01 ,  5F101BH02 ,  5F101BH14 ,  5F101BH15