特許
J-GLOBAL ID：201903013937253750

芳香族化合物の製造方法

発明者：
稲垣 翔

稲垣 翔 について

, 
餌取 秀樹

餌取 秀樹 について


出願人/特許権者：
DIC株式会社

DIC株式会社 について


代理人 (3件)： 小川 眞治 ,  岩本 明洋 ,  大野 孝幸
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2018-106898
公開番号（公開出願番号）：特開2019-206506
出願日： 2018年06月04日
公開日（公表日）： 2019年12月05日
要約：
【課題】 硫黄源となる物質を原料として別途添加することなく、かつ、腐食性・刺激性・毒性・発火性のある原料を使用することなく、大気下・低温(200°C以下)で反応が進行するBTBT環(またはDNTT環)構築方法を提供すること。【解決手段】 特定構造のジスルフィドを基質原料(出発化合物)に用いることで、硫黄源物質を加えずして、大気下・低温(200°C以下)にて、BTBT環(またはDNTT環)を得ることができる。【選択図】 なし
請求項（抜粋）：
一般式(1)で表される化合物の製造方法であって、 一般式(2)で表される化合物を原料として用いることを特徴とする、一般式(1)で表される化合物の製造方法。
IPC (1件)：
C07D 495/04
FI (1件)：
C07D495/04 101
Fターム (10件)：
4C071AA01 ,  4C071AA07 ,  4C071BB01 ,  4C071BB06 ,  4C071CC22 ,  4C071DD04 ,  4C071EE13 ,  4C071FF23 ,  4C071KK01 ,  4C071LL10
引用特許：
出願人引用 (3件) 審査官引用 (3件)

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