特許

J-GLOBAL ID：201903014697102098

SiCウエーハの生成方法

発明者： 平田 和也 ,  森重 幸雄
出願人/特許権者： 株式会社ディスコ
代理人 (2件)： 松本 昂 ,  岡本 知広
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願2016-001941
公開番号（公開出願番号）：特開2017-123405
特許番号：特許第6602207号
出願日： 2016年01月07日
公開日（公表日）： 2017年07月13日
請求項（抜粋）：

【請求項1】 SiCウエーハの生成方法であって、 SiCインゴットに対して透過性を有する波長のレーザービームの集光点をSiCインゴットの端面から生成するウエーハの厚みに相当する深さに位置付けると共に、該集光点と該SiCインゴットとを相対的に移動してレーザービームを該端面に照射し、該端面に平行な改質層及び該改質層から伸長するクラックを形成して分離起点とする分離起点形成ステップと、 該分離起点形成ステップを実施した後、該分離起点からウエーハの厚みに相当する板状物を該SiCインゴットから剥離してSiCウエーハを生成するウエーハ剥離ステップと、を備え、 該分離起点形成ステップにおいて、集光点を形成する集光レンズの開口数を0.45〜0.9に設定すると共に、レーザービームのM2ファクターを5〜50に設定して集光点の直径をφ15〜150μmに設定することを特徴とするSiCウエーハの生成方法。

IPC (5件)：

H01L 21/304 ( 200 6.01) ,  B23K 26/53 ( 201 4.01) ,  B23K 26/00 ( 201 4.01) ,  B23K 26/073 ( 200 6.01) ,  B28D 5/04 ( 200 6.01)

FI (5件)：

H01L 21/304 611 Z ,  B23K 26/53 ,  B23K 26/00 N ,  B23K 26/073 ,  B28D 5/04 B

引用特許：

審査官引用 (1件)

• レーザ加工方法、レーザ加工装置及びインクジェットヘッドの製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2012-221141   出願人：キヤノン株式会社