特許
J-GLOBAL ID：201903015626669662
金属皮膜の成膜方法およびその成膜装置
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (4件)：
平木 祐輔
, 関谷 三男
, 石川 滝治
, 美馬 保彦
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願2016-102703
公開番号（公開出願番号）：特開2017-210634
特許番号：特許第6447575号
出願日： 2016年05月23日
公開日（公表日）： 2017年11月30日
請求項（抜粋）：
【請求項1】 陽極と、陰極である基板との間に固体電解質膜を配置し、載置台に載置された前記基板の表面に前記固体電解質膜を接触させた状態で、前記陽極と前記基板との間に、電圧を印加することにより、前記固体電解質膜に含有した金属イオンを還元し、前記基板の表面に前記金属イオン由来の金属を析出させて、前記基板の表面に金属皮膜を成膜する金属皮膜の成膜方法であって、
前記陽極と前記固体電解質膜との間に前記金属イオンを含む金属溶液が配置され、前記固体電解質膜を介して前記金属溶液が前記基板の表面に配置されるように、前記金属溶液を、ハウジングの第1収容室内に前記固体電解質膜で封止した状態にし、
前記金属皮膜が成膜される表面と反対側に位置する前記基板の裏面に、可撓性を有した薄膜を介して流体が配置されるように、前記流体を、前記載置台の第2収容室内に前記薄膜で封止した状態にし、
前記基板を前記載置台に載置した状態で、前記載置台と前記ハウジングとを相対的に移動させて前記固体電解質膜と前記薄膜との間に前記基板を挟み込み、
挟み込んだ状態の前記基板に、前記固体電解質膜および前記薄膜を押圧することにより、前記固体電解質膜および前記薄膜を、前記基板の前記表面および前記裏面に倣わせて、前記金属皮膜の成膜を行い、
前記基板の表面に、前記金属皮膜が成膜される複数の第1導体部が形成され、前記基板の裏面または前記基板の側面に、前記各第1導体部に導通した第2導体部が形成されており、
前記薄膜に、前記基板が載置される面に少なくとも導電性を有した薄膜を用い、
前記薄膜を前記基板の裏面に押圧することにより、前記薄膜を前記第2導体部に接触させ、前記薄膜と前記陽極との間に前記電圧を印加することにより、前記第1導体部に前記金属皮膜を成膜することを特徴とする金属皮膜の成膜方法。
IPC (6件)：
C25D 17/00 ( 200 6.01)
, C25D 5/02 ( 200 6.01)
, C25D 7/00 ( 200 6.01)
, C25D 21/00 ( 200 6.01)
, H05K 3/18 ( 200 6.01)
, H05K 3/24 ( 200 6.01)
C25D 17/00 H
, C25D 5/02 Z
, C25D 7/00 J
, C25D 21/00 E
, H05K 3/18 G
, H05K 3/24 A
