特許

J-GLOBAL ID：201903015699260240

マグネトロンスパッタガン及びマグネトロンスパッタ薄膜作製装置

発明者： 春本高志 ,  史蹟 ,  中村吉男
出願人/特許権者： 国立大学法人東京工業大学
代理人 (1件)： 特許業務法人たかはし国際特許事務所
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2018-050765
公開番号（公開出願番号）：特開2019-163495
出願日： 2018年03月19日
公開日（公表日）： 2019年09月26日
要約：

【課題】マグネトロンスパッタ薄膜作製装置のカソード部の温度上昇を抑制でき、更に、冷却水による冷却が不要であり設備コストを低減することのできるマグネトロンスパッタガンや、それを用いたマグネトロンスパッタ薄膜作製装置を提供する。【解決手段】シールドカバー15と、ターゲットtを保持するためのターゲット保持手段11と、ターゲットtの表面上に磁場を発生させるための永久磁石12と、ターゲットt及び永久磁石12を冷却するための冷却手段とを有するマグネトロンスパッタガン10であって、冷却手段が非水冷式の熱バラスト13であることを特徴とするマグネトロンスパッタガン10により上記課題を解決した。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

シールドカバーと、ターゲットを保持するためのターゲット保持手段と、該ターゲットの表面上に磁場を発生させるための永久磁石と、該ターゲット及び該永久磁石を冷却するための冷却手段とを有するマグネトロンスパッタガンであって、該冷却手段が非水冷式の熱バラストであることを特徴とするマグネトロンスパッタガン。

IPC (1件)：

C23C 14/34

FI (1件)：

C23C14/34 L

Fターム (5件)：

4K029DC03 ,  4K029DC20 ,  4K029DC25 ,  4K029DC34 ,  4K029DC40