パワーモジュール、電力変換装置、およびパワーモジュールの製造方法

発明者： , , ,
出願人/特許権者：
代理人 (4件)：大岩増雄 , 竹中岑生 , 村上啓吾 , 吉澤憲治
公報種別：再公表公報
出願番号（国際出願番号）：JP2018017134
公開番号（公開出願番号）：WO2018-207656
出願日： 2018年04月27日
公開日（公表日）： 2018年11月15日
要約：

【課題】封止樹脂の密着性が十分で、かつ信頼性の高いパワーモジュールを得ることを目的とする。【解決手段】セラミック板上に導体層13のパターンが形成された絶縁基板11と、絶縁基板11上に配置されたパワー半導体素子21、22と、パワー半導体素子21、22の電極からネジ止め端子部611b、612bに接続する板状のリードフレーム611a、612aと、パワー半導体素子21、22とリードフレーム611a、612aの接続部および周辺を封止する封止樹脂部7とを備え、リードフレーム611a、612aは、平面視において、絶縁基板11の導体層13が形成されていない部分と少なくとも一部が重なる位置に開口部611b、612bが設けられている。

請求項（抜粋）：

セラミック板の両面に導体層のパターンが形成された絶縁基板と、前記絶縁基板上に配置された半導体素子と、前記半導体素子の電極から外部に接続する板状の電極板と、前記半導体素子と前記電極板との接続部および前記接続部の周辺を封止する封止樹脂部とを備え、前記電極板は、平面視において、前記絶縁基板の導体層が形成されていない部分と少なくとも一部が重なる位置に開口部が設けられることを特徴とするパワーモジュール。

IPC (4件)：

H01L 25/07 , H01L 25/18 , H01L 23/48 , H01L 23/28

FI (3件)：

H01L25/04 C , H01L23/48 M , H01L23/28 A

Fターム (7件)：

4M109AA01 , 4M109BA03 , 4M109CA02 , 4M109DB09 , 4M109EA02 , 4M109EB13 , 4M109EC09

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