特許
J-GLOBAL ID：201903015994934198
メンブレンデバイスの製造方法、メンブレンデバイス、および、ナノポアデバイス
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
特許業務法人藤央特許事務所
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願2018-505212
特許番号：特許第6568644号
出願日： 2016年03月18日
請求項（抜粋）：
【請求項1】 エッチングによってSi基板上の一部にピラー構造を形成する第1の工程と、
前記Si基板上に第1の絶縁層を形成し、前記ピラー構造の上部のSi表面を露出させる第2の工程と、
前記ピラー構造上および前記第1の絶縁層上に第2の絶縁層を形成する第3の工程と、
前記Si基板を前記第2の絶縁層とは反対側からエッチングし、前記第1の絶縁層をマスクにして前記ピラー構造をエッチングすることにより、前記第2の絶縁層のうち、エッチング方向に直交する前記ピラー構造の幅よりも狭く、かつ、前記ピラー構造が残存していない領域であるメンブレンを形成し、前記メンブレンの外側に前記ピラー構造の一部を残存させる第4の工程と、
を含むことを特徴とするメンブレンデバイスの製造方法。
IPC (1件)：
FI (1件)：
引用特許：
引用文献：
出願人引用 (2件)
審査官引用 (1件)
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Fabrication of 3-nm-thick Si3N4 membranes for solid-state nanopores using the poly-Si sacrificial la
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