特許

J-GLOBAL ID：201903016774687080

プラズマ処理装置

発明者： ▲高▼橋 大輔
出願人/特許権者： 日本電産株式会社
代理人 (1件)： 特許業務法人 佐野特許事務所
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2018-045773
公開番号（公開出願番号）：特開2019-160562
出願日： 2018年03月13日
公開日（公表日）： 2019年09月19日
要約：

【課題】誘電体バリア放電方式によるプラズマ放電を行う印加電極の劣化を抑制するプラズマ処理装置を提供する。【解決手段】電圧が印加される印加電極部1と、接地されたワーク4と前記印加電極部1との間に配置される誘電体2と、を備え、前記印加電極部1は、処理ガスが流れるガス導通部1Aを内部に有し、前記ガス導通部1Aは、前記誘電体2と前記ワーク4との間の隙間に連通する、プラズマ処理装置。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

所定の電圧が印加される印加電極部と、 接地されたワークと前記印加電極部との間に配置される誘電体と、 を備え、 前記印加電極部は、処理ガスが流れるガス導通部を内部に有し、 前記ガス導通部は、前記誘電体と前記ワークとの間の隙間に連通する、 プラズマ処理装置。

IPC (1件)：

H05H 1/24

FI (1件)：

H05H1/24

Fターム (18件)：

2G084AA01 ,  2G084BB12 ,  2G084BB14 ,  2G084BB23 ,  2G084BB24 ,  2G084BB32 ,  2G084CC03 ,  2G084CC19 ,  2G084CC34 ,  2G084DD17 ,  2G084DD22 ,  2G084FF04 ,  2G084FF20 ,  2G084FF23 ,  2G084FF39 ,  2G084HH09 ,  2G084HH36 ,  2G084HH37