特許

J-GLOBAL ID：201903016963671462

ナノワイヤ装置、ナノワイヤ装置の製造方法、電波受信機及び発電機

発明者： 河口 研一 ,  高橋 剛 ,  岡本 直哉
出願人/特許権者： 富士通株式会社
代理人 (2件)： 伊東 忠重 ,  伊東 忠彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2018-113836
公開番号（公開出願番号）：特開2019-216219
出願日： 2018年06月14日
公開日（公表日）： 2019年12月19日
要約：

【課題】電極間の容量をより低減することができるナノワイヤ装置、ナノワイヤ装置の製造方法、電波受信機及び発電機を提供する。【解決手段】ナノワイヤ装置の製造方法は、基板の上方に、第1の最大直径を有する第1導電型の第1のナノワイヤセグメント11を成長させる工程と、第1の最大直径よりも小さい第2の最大直径を有する第2導電型の第2のナノワイヤセグメント12を第1のナノワイヤセグメント11上に成長させる工程と、第1のナノワイヤセグメント11に接触する第1の金属電極15を形成する工程と、第2のナノワイヤセグメント12に接触する第2の金属電極17を形成する工程と、を有する。【選択図】図1E

請求項（抜粋）：

基板の上方に、第1の最大直径を有する第1導電型の第1のナノワイヤセグメントを成長させる工程と、 前記第1の最大直径よりも小さい第2の最大直径を有する第2導電型の第2のナノワイヤセグメントを前記第1のナノワイヤセグメント上に成長させる工程と、 前記第1のナノワイヤセグメントに接触する第1の金属電極を形成する工程と、 前記第2のナノワイヤセグメントに接触する第2の金属電極を形成する工程と、 を有することを特徴とするナノワイヤ装置の製造方法。

IPC (6件)：

H01L 29/06 ,  H01L 29/861 ,  H01L 29/868 ,  H01L 21/329 ,  B82Y 30/00 ,  B82Y 40/00

FI (7件)：

H01L29/06 601N ,  H01L29/91 H ,  H01L29/91 A ,  H01L29/91 C ,  H01L29/91 F ,  B82Y30/00 ,  B82Y40/00

引用特許：

審査官引用 (3件)

• 半導体装置及びその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2016-191855   出願人：富士通株式会社
• 電界効果トランジスタおよびその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2007-151827   出願人：パナソニック株式会社
• ナノスケール電界効果トランジスタの構体
  公報種別：公表公報   出願番号：特願2009-527847   出願人：クナノアーベー