特許

J-GLOBAL ID：201903017683801022

窒化物半導体製造装置および製造方法

発明者： 甲斐 隆行 ,  布袋田 暢行 ,  北川 大 ,  松野 俊一
出願人/特許権者： パナソニックIPマネジメント株式会社
代理人 (3件)： 松谷 道子 ,  岡部 博史 ,  稲葉 和久
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2017-214111
公開番号（公開出願番号）：特開2019-087616
出願日： 2017年11月06日
公開日（公表日）： 2019年06月06日
要約：

【課題】液体金属の逆流または反応ガスの漏洩を防止できる窒化物半導体製造装置を提供する。【解決手段】窒化物半導体製造装置は、反応炉と、反応炉を加熱するヒータと、反応炉外に液体金属を保持する液体金属受けと、反応炉内で液体金属を載置する原料反応部と、液体金属を原料反応部に導入するために液体金属受けと原料反応部とを接続する液体金属供給配管と、反応炉内で基板を保持するサセプタと、原料反応部内の液体金属と反応させる第1の反応ガスを原料反応部に送り込む配管と、第1の反応ガスと液体金属とが反応することで生じた液体金属の含有ガスを基板に送る第1ノズルと、窒素元素を含む第2のガスを供給する第2ノズルと、液体金属供給配管19の途中に設けられ、かつ、液体金属で満たされたトラップ100と、を備える。【選択図】図3B

請求項（抜粋）：

反応炉と、 前記反応炉を加熱するヒータと、 前記反応炉外に液体金属を保持する液体金属受けと、 前記反応炉内で前記液体金属を載置する原料反応部と、 前記液体金属を前記原料反応部に導入するために前記液体金属受けと前記原料反応部とを接続する液体金属供給配管と、 前記反応炉内で基板を保持するサセプタと、 前記原料反応部内の前記液体金属と反応させる第1の反応ガスを前記原料反応部に送り込む配管と、 前記第1の反応ガスと前記液体金属とが反応することで生じた液体金属の含有ガスを前記基板に送る第1ノズルと、 窒素元素を含む第2のガスを供給する第2ノズルと、 前記液体金属供給配管の途中に設けられ、かつ、前記液体金属で満たされたトラップと、 を備える、窒化物半導体製造装置。

IPC (3件)：

H01L 21/205 ,  C23C 16/34 ,  C23C 16/455

FI (3件)：

H01L21/205 ,  C23C16/34 ,  C23C16/455

Fターム (32件)：

4K030AA03 ,  4K030AA13 ,  4K030AA17 ,  4K030BA08 ,  4K030BA11 ,  4K030BA38 ,  4K030BB02 ,  4K030CA04 ,  4K030CA12 ,  4K030EA01 ,  4K030EA03 ,  4K030EA05 ,  4K030FA10 ,  4K030JA05 ,  4K030LA14 ,  5F045AA03 ,  5F045AB14 ,  5F045AC00 ,  5F045AC03 ,  5F045AC12 ,  5F045AC13 ,  5F045AD14 ,  5F045AE29 ,  5F045AF04 ,  5F045BB12 ,  5F045BB20 ,  5F045CA10 ,  5F045DP03 ,  5F045DQ10 ,  5F045EE01 ,  5F045EK06 ,  5F045EK07