特許
J-GLOBAL ID:201903018553991101
集積化された改質を伴うプロトン伝導性電気化学デバイス及びそれに関連する製造方法
発明者:
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出願人/特許権者:
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代理人 (3件):
村山 靖彦
, 実広 信哉
, 阿部 達彦
公報種別:公表公報
出願番号(国際出願番号):特願2018-531401
公開番号(公開出願番号):特表2019-505951
出願日: 2016年12月16日
公開日(公表日): 2019年02月28日
要約:
本発明は、プロトン伝導性電気化学デバイスに関する。このデバイスは、酸化種を還元することができる正極(2)、還元種を酸化することができる負極(1)、並びに正極及び負極の両方に接触するプロトン伝導性電解質(3)を備える。さらに、このデバイスは、プロトン(12)及び電子(11)を拡散することができる層(4)を備え、前記層は、プロトン伝導性電解質の汚染物質(7)に対する保護障壁を形成する。この層は、プロトン伝導性電解質と負電極の両方に接触している。本発明はさらに、そのようなデバイスを製造する方法に関する。
請求項(抜粋):
-酸化種を還元することができる正極(2)と、
-還元種を酸化することができる負極(1)と、
-前記正極と前記負極との間の空間を占有し、前記正極と前記負極との間でプロトンの伝導を可能にするプロトン伝導性電解質(3)と、
を備えるプロトン伝導性電気化学デバイスであって、
前記電気化学デバイスがさらに、プロトン(12)及び電子(11)を拡散することができ、前記プロトン伝導性電解質の汚染物(7)に対する保護障壁を形成する層を備え、前記層が、一方で前記プロトン伝導性電解質に、他方で前記負極に接触し、
プロトン(12)及び電子を拡散することができる前記層(4)が、ABB’O3型の材料及びABO3型の材料から選択される材料を含み、Aが、周期律表の第II族から選択される元素であり、Bが、セリウム及び周期律表のIVB族から選択される元素であり、B’が、ランタノイド又は周期律表のVIIIB族から選択される元素であり、B’が、ランタノイド又は周期律表のVIIIB族から選択される元素である、プロトン伝導性電気化学デバイス。
IPC (10件):
H01M 8/100
, C25B 1/10
, C25B 9/00
, C25B 1/00
, C25B 9/08
, C25B 3/04
, H01M 8/10
, H01M 8/12
, H01M 8/109
, H01M 8/02
FI (12件):
H01M8/1004
, C25B1/10
, C25B9/00 A
, C25B1/00 Z
, C25B9/08
, C25B9/00 Z
, C25B3/04
, C25B9/00 G
, H01M8/10 101
, H01M8/12 101
, H01M8/1097
, H01M8/02
Fターム (11件):
4K021AA01
, 4K021BA02
, 4K021DB31
, 4K021DB53
, 4K021DC03
, 5H126AA02
, 5H126AA15
, 5H126BB06
, 5H126GG13
, 5H126JJ03
, 5H126JJ04
引用特許:
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