特許

J-GLOBAL ID：201903018808439530

組成物、近赤外光電変換素子および撮像装置

発明者： 飯島 浩章 ,  平出 雅哉 ,  中田 学
出願人/特許権者： パナソニックIPマネジメント株式会社
代理人 (3件)： 新居 広守 ,  寺谷 英作 ,  道坂 伸一
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2018-024367
公開番号（公開出願番号）：特開2019-137654
出願日： 2018年02月14日
公開日（公表日）： 2019年08月22日
要約：

【課題】近赤外光領域に高い光吸収特性を有し、かつ高い光電変換効率を発現する組成物を提供する。【解決手段】組成物は、下記一般式(1)で表されるナフタロシアニン誘導体を含む。【化1】 但し、Xは、SiまたはCであり、R1〜R8は、それぞれ独立なアルキル基であり、R9〜R14は、それぞれ独立して、アルキル基、アルコキシ基、アリール基、または水素原子である。【選択図】なし

請求項（抜粋）：

下記一般式(1)で表されるナフタロシアニン誘導体を含む、 組成物。

IPC (7件)：

C07F 7/30 ,  H01L 51/42 ,  H04N 5/33 ,  H01L 27/146 ,  C07D 487/22 ,  C07F 7/10 ,  C07F 19/00

FI (7件)：

C07F7/30 F ,  H01L31/08 T ,  H04N5/33 ,  H01L27/146 E ,  C07D487/22 ,  C07F7/10 V ,  C07F19/00

Fターム (49件)：

4C050PA13 ,  4H049VN01 ,  4H049VN02 ,  4H049VP01 ,  4H049VP03 ,  4H049VQ93 ,  4H049VR42 ,  4H049VR54 ,  4H049VU29 ,  4H050AA01 ,  4H050AA03 ,  4H050AB92 ,  4M118AA01 ,  4M118AB01 ,  4M118BA07 ,  4M118CA14 ,  4M118CB14 ,  4M118CB20 ,  4M118DD10 ,  4M118FA06 ,  4M118FA08 ,  4M118FA26 ,  4M118GC07 ,  4M118GD04 ,  4M118HA25 ,  5C024AX06 ,  5C024CY47 ,  5C024GY31 ,  5C024GY39 ,  5C024GY41 ,  5F849AB13 ,  5F849BA01 ,  5F849BA05 ,  5F849BA09 ,  5F849BB03 ,  5F849EA04 ,  5F849EA12 ,  5F849EA13 ,  5F849FA04 ,  5F849GA02 ,  5F849GA04 ,  5F849KA01 ,  5F849KA13 ,  5F849KA14 ,  5F849KA20 ,  5F849LA01 ,  5F849XA02 ,  5F849XA46 ,  5F849XA48