特許

J-GLOBAL ID：201903019079046502

薄膜太陽電池の製造方法

発明者： 杉山 陸 ,  中田 時夫 ,  イズール カトリ ,  松浦 純平
出願人/特許権者： 学校法人東京理科大学
代理人 (3件)： 中島 淳 ,  加藤 和詳 ,  福田 浩志
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2017-196357
公開番号（公開出願番号）：特開2019-071342
出願日： 2017年10月06日
公開日（公表日）： 2019年05月09日
要約：

【課題】製造時間が短縮化された、且つ、変換効率に優れた薄膜太陽電池の製造方法を提供すること。【解決手段】裏面電極と、前記裏面電極上に形成され、第11族元素と第13族元素と第16族元素とを含む第一化合物半導体層と、前記第一化合物半導体層における下記バッファ層側の表層に設けられた第二化合物半導体層と、からなる光吸収層と、前記光吸収層上に形成され、第12族元素を含む化合物半導体層からなるバッファ層と、前記バッファ層上に形成され、第12族元素を含む酸化物半導体層からなる透明電極とを有する太陽電池構造を準備する工程と、前記太陽電池構造に対して、加熱しつつ、前記裏面電極から前記透明電極に向かう外部電界を印加する処理工程と、を有する薄膜太陽電池の製造方法を提供すること。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

裏面電極と、 前記裏面電極上に形成され、第11族元素と第13族元素と第16族元素とを含む第一化合物半導体層と、前記第一化合物半導体層における下記バッファ層側の表層に設けられた第二化合物半導体層と、からなる光吸収層と、前記光吸収層上に形成され、第12族元素を含む化合物半導体層からなるバッファ層と、前記バッファ層上に形成され、第12族元素を含む酸化物半導体層からなる透明電極とを有する太陽電池構造を準備する工程と、 前記太陽電池構造に対して、加熱しつつ、前記裏面電極から前記透明電極に向かう外部電界を印加する処理工程と、 を有する薄膜太陽電池の製造方法。

IPC (2件)：

H01L 31/074 ,  H01L 31/18

FI (2件)：

H01L31/06 460 ,  H01L31/04 420

Fターム (30件)：

5F103AA00 ,  5F103AA01 ,  5F103AA04 ,  5F103DD30 ,  5F103KK10 ,  5F103LL04 ,  5F103NN01 ,  5F103PP03 ,  5F103PP11 ,  5F103RR01 ,  5F151AA09 ,  5F151AA10 ,  5F151BA11 ,  5F151CB12 ,  5F151CB14 ,  5F151CB15 ,  5F151CB19 ,  5F151CB24 ,  5F151CB30 ,  5F151DA03 ,  5F151DA07 ,  5F151FA02 ,  5F151FA03 ,  5F151FA04 ,  5F151FA06 ,  5F151FA13 ,  5F151FA15 ,  5F151GA02 ,  5F151GA03 ,  5F151HA03