特許

J-GLOBAL ID：201903019429994727

半導体装置、半導体装置の製造方法、インバータ回路、駆動装置、車両、及び、昇降機

発明者： 清水 達雄 ,  飯島 良介
出願人/特許権者： 株式会社東芝
代理人 (3件)： 池上 徹真 ,  須藤 章 ,  松山 允之
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2017-161712
公開番号（公開出願番号）：特開2019-040993
出願日： 2017年08月25日
公開日（公表日）： 2019年03月14日
要約：

【課題】キャリアの移動度の向上が可能な半導体装置を提供する。【解決手段】MOSFETである半導体装置100は、(0001)面に対し0度以上10度以下傾斜した表面を有する炭化珪素層10と、ゲート電極30に接するゲート絶縁膜である酸化シリコン層28と、炭化珪素層10の表面と酸化シリコン層28との間に位置し、炭素間の一重結合が炭素間の二重結合よりも多い界面領域40と、を備える。【効果】界面準位の密度が低減され、キャリアの移動度の低下、及び閾値電圧の変動が抑制される。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

(0001)面に対し0度以上10度以下傾斜した表面を有する炭化珪素層と、 酸化シリコン層と、 前記表面と前記酸化シリコン層との間に位置し、炭素間の一重結合が炭素間の二重結合よりも多い領域と、 を備える半導体装置。

IPC (5件)：

H01L 29/78 ,  H01L 29/06 ,  H01L 29/12 ,  H01L 21/336 ,  H01L 21/316

FI (5件)：

H01L29/78 652K ,  H01L29/78 652P ,  H01L29/78 652T ,  H01L29/78 658F ,  H01L21/316 X

Fターム (5件)：

5F058BC02 ,  5F058BF02 ,  5F058BH03 ,  5F058BH04 ,  5F058BJ01