圧電薄膜付き積層基板および圧電薄膜素子

発明者： , ,
出願人/特許権者： ,
代理人 (2件)：福岡昌浩 , 橘高英郎
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願2017-211563
公開番号（公開出願番号）：特開2018-019108
特許番号：特許第6502460号
出願日： 2017年11月01日
公開日（公表日）： 2018年02月01日
請求項（抜粋）：

【請求項1】基板と、前記基板上に製膜された電極膜と、前記電極膜上に製膜された圧電薄膜と、を備え、前記圧電薄膜は、組成式(K1-xNax)NbO3(0<x<1)で表されるペロブスカイト構造のアルカリニオブ酸化物が(001)面方位に優先配向してなり、 Cuを0.2at%以上0.6at%以下の濃度で含み、 25×106V/mの電界を印加した際のリーク電流密度が500μA/cm2以下であり、周波数1kHzの条件下で測定した際の比誘電率が1000以下である圧電薄膜付き積層基板。

IPC (3件)：