特許

J-GLOBAL ID：201903019779427167

エッチング装置及びエッチング方法

発明者： 大参 宏昌 ,  久保田 雄介
出願人/特許権者： 東京エレクトロン株式会社 ,  国立大学法人大阪大学
代理人 (3件)： 長谷川 芳樹 ,  黒木 義樹 ,  柏岡 潤二
公報種別：再公表公報
出願番号（国際出願番号）：JP2017040614
公開番号（公開出願番号）：WO2018-088532
出願日： 2017年11月10日
公開日（公表日）： 2018年05月17日
要約：

反応性ラジカルを有するプラズマを照射するエッチング方法において、プラズマ形成に用いられる処理ガスは、H2ガスを含むエッチングガスと、N2、NH3、H2O及びCO2からなる群から選択される少なくとも1種のガスを含む表面改質ガスとを含んでおり、エッチングレートを向上すると共にエッチングの際の表面粗さの増加を抑制することができる。

請求項（抜粋）：

金属を含む試料のエッチング装置において、 処理容器と、 前記処理容器内に配置される試料ホルダーと、 前記試料ホルダーに対向する位置に設けられ、プラズマを発生させ、プラズマ中に直接処理ガスを供給することを可能とするプラズマ生成電極と、 前記プラズマ生成電極に接続された高周波電源と、 前記プラズマ生成電極に処理ガスを供給する処理ガス導入口と、 を備え、 前記処理ガスは、 H2ガスを含むエッチングガスと、 N2、NH3、H2O及びCO2からなる群から選択される少なくとも1種のガスを含む表面改質ガスと、 を含む、 エッチング装置。

IPC (2件)：

H01L 21/306 ,  H05H 1/46

FI (2件)：

H01L21/302 104C ,  H05H1/46 M

Fターム (27件)：

2G084AA02 ,  2G084BB11 ,  2G084BB12 ,  2G084BB13 ,  2G084CC12 ,  2G084CC32 ,  2G084CC33 ,  2G084DD02 ,  2G084DD14 ,  2G084DD17 ,  2G084DD21 ,  2G084DD23 ,  2G084DD25 ,  2G084DD67 ,  2G084FF07 ,  2G084FF15 ,  2G084FF18 ,  2G084FF39 ,  2G084FF40 ,  5F004BA06 ,  5F004BA07 ,  5F004CA05 ,  5F004DA00 ,  5F004DA24 ,  5F004DA25 ,  5F004DB08 ,  5F004DB09