特許
J-GLOBAL ID:201903019834930027

スパッタリングターゲット

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (2件): 松谷 道子 ,  吉田 環
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2018-167113
公開番号(公開出願番号):特開2019-011512
出願日: 2018年09月06日
公開日(公表日): 2019年01月24日
要約:
【課題】スパッタリングの間、特にスパッタリングの末期段階において、基板上に形成される薄膜の膜厚均一性を向上させることができるスパッタリングターゲットの提供。【解決手段】ターゲット材を含み、前記ターゲット材のスパッタリング面が、スパッタリングの際にエロージョンが集中する位置において、前記ターゲット材の厚みが低下するように設けられた段差を有する、スパッタリングターゲット。【選択図】図5
請求項(抜粋):
ターゲット材を含み、前記ターゲット材のスパッタリング面が、スパッタリングの際にエロージョンが集中する位置において、前記ターゲット材の厚みが低下するように設けられた段差を有する、スパッタリングターゲット。
IPC (2件):
C23C 14/34 ,  C23C 14/35
FI (2件):
C23C14/34 B ,  C23C14/35 A
Fターム (9件):
4K029AA06 ,  4K029AA24 ,  4K029BA03 ,  4K029CA05 ,  4K029DC03 ,  4K029DC08 ,  4K029DC12 ,  4K029DC24 ,  4K029DC39

前のページに戻る