特許

J-GLOBAL ID：201903019957235986

SiCまたはGaN MOSFETトランジスタ用スイッチング装置のショートに対する保護回路および関連方法

発明者： アル カヤル、フィサル
出願人/特許権者： アルストム トランスポート テクノロジーズ
代理人 (4件)： 木村 満 ,  森川 泰司 ,  桜田 圭 ,  美恵 英樹
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2018-128353
公開番号（公開出願番号）：特開2019-016791
出願日： 2018年07月05日
公開日（公表日）： 2019年01月31日
要約：

【課題】良好に動作し、高いスイッチング速度に対して堅牢なSiCまたはGaN MOSFETスイッチング装置を提供る【解決手段】SiCまたはGaN MOSFET用スイッチング素子のショートに対する保護回路および関連方法であって、主電流が流れうる少なくとも1つのSiCまたはGaN MOSFET型トランジスタ12を備える電力スイッチング装置10は、トランジスタ12の主電流を、トランジスタ12により生成された電磁場から間接的に測定するように構成された少なくとも1つの測定モジュール14と、主電流の時間的なドリフトの符号に基づいてショートを検出するように構成された少なくとも1つの保護回路16とを備える。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

主電流(I;Ia,Ib,Ic)が流れうるSiCまたはGaN MOSFET型の少なくとも1つのトランジスタ(12;12a,12b,12c)を備える電力スイッチング装置(10)であって、 前記トランジスタ(12;12a,12b,12c)の主電流(I)を、前記トランジスタ(12;12a,12b,12c)により生成される電磁場から間接的に測定するように構成された少なくとも1つの測定モジュール(14;14a,14b,14c)と、 主電流(Ia,Ib,Ic)の時間的なドリフトの符号に基づいてショートを検出するように構成された少なくとも1つの保護回路(16;16a,16b,16c)と、 を備えることを特徴とするスイッチング装置(10)。

IPC (3件)：

H01L 21/822 ,  H01L 27/04 ,  G01R 19/165

FI (2件)：

H01L27/04 H ,  G01R19/165 R

Fターム (9件)：

2G035AA15 ,  2G035AC02 ,  2G035AD55 ,  5F038AZ10 ,  5F038BH01 ,  5F038BH12 ,  5F038EZ01 ,  5F038EZ02 ,  5F038EZ20