特許

J-GLOBAL ID：201903020030328446

トランジスタ

発明者： 山崎 舜平 ,  肥塚 純一 ,  中澤 安孝 ,  島 行徳 ,  神長 正美 ,  坂倉 真之 ,  中島 基
出願人/特許権者： 株式会社半導体エネルギー研究所
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願2018-122149
公開番号（公開出願番号）：特開2018-164107
特許番号：特許第6549290号
出願日： 2018年06月27日
公開日（公表日）： 2018年10月18日
請求項（抜粋）：

【請求項1】 ゲート絶縁膜を介してゲート電極と重なる、In、Ga、及びZnを含む酸化物半導体膜と、 前記酸化物半導体膜上方の、銅を含む一対の電極と、 前記酸化物半導体膜と前記一対の電極との間に設けられた、In、Ga、及びZnを含む酸化物膜と、を有するトランジスタであって、 前記酸化物半導体膜は、チャネルとして機能する領域を有し、 前記一対の電極は、前記酸化物膜を介して前記酸化物半導体膜と電気的に接続され、 前記酸化物膜は、非単結晶構造を有し、 前記酸化物膜は、c軸配向した結晶を有し、 前記酸化物膜のInに対するGaの原子数比は、前記酸化物半導体膜のInに対するGaの原子数比よりも大きく、 前記酸化物膜におけるIn、Ga、及びZnの原子数比は、InよりもGaが大きく、GaよりもZnが大きいことを特徴とするトランジスタ。

IPC (3件)：

H01L 29/786 ( 200 6.01) ,  H01L 21/28 ( 200 6.01) ,  G09F 9/30 ( 200 6.01)

FI (7件)：

H01L 29/78 618 B ,  H01L 29/78 618 E ,  H01L 29/78 618 G ,  H01L 29/78 620 ,  H01L 21/28 301 B ,  H01L 21/28 301 R ,  G09F 9/30 338