特許
J-GLOBAL ID：201903020344460225
太陽電池およびその太陽電池の製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (6件)：
楠本 高義
, 藤河 恒生
, 三雲 悟志
, 森 優
, 中川 茂樹
, 平松 拓郎
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2018-027267
公開番号（公開出願番号）：特開2019-145621
出願日： 2018年02月19日
公開日（公表日）： 2019年08月29日
要約：
【課題】製造が容易で、変換効率を高めた太陽電池およびその製造方法を提供する。【解決手段】太陽電池10は、基板12の上に第1電極14、電子輸送層16、光電変換層18、正孔輸送層20、第2電極22が順番に積層されている。ペロブスカイト構造を有する化合物に当該ペロブスカイト構造を有する化合物よりもバンドギャップの大きい物質もしくはバンドギャップの小さい物質を添加する。光電変換層18に2つもしくは複数のバンドギャップを有する層が自己組織形成され、光電変換層18がタンデム型もしくは複数積層型になる。光電変換層18のペロブスカイト構造を有する化合物は、電子輸送層16から正孔輸送層20に向けて、自己組織形成組成傾斜型でバンドギャップが小さくなるようにしても良く、デンドライト構造のようにpn接合界面面積を増加させるようにしても良い。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
基板と、
前記基板上の第1電極と、
前記第1電極上の電子輸送層と、
前記電子輸送層の上において、n型半導体およびペロブスカイト構造を有する化合物から構成された光電変換層と、
前記光電変換層の上の正孔輸送層と、
前記正孔輸送層上の第2電極と、
を備え、
前記光電変換層が、複数のバンドギャップを備えた、またはバンドギャップが徐々に変化する、もしくは大きなpn接合界面を有する太陽電池。
IPC (2件)：
FI (3件)：
H01L31/04 122
, H01L31/04 112Z
, H01L31/04 422
5F151AA11
, 5F151CB13
, 5F151CB14
, 5F151CB15
, 5F151CB29
, 5F151FA02
, 5F151GA03
