半導体装置

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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：ポレール特許業務法人
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願2018-063404
公開番号（公開出願番号）：特開2018-137033
特許番号：特許第6535120号
出願日： 2018年03月29日
公開日（公表日）： 2018年08月30日
請求項（抜粋）：

【請求項1】第1電圧を供給する第1電源線と、前記第1電圧より低い第2電圧を供給する第2電源線と、ソースードレイン経路と、第1制御信号が供給されるゲートとを有する第1Pチャネル型MOSトランジスタと、ソースードレイン経路と、前記第1制御信号とは異なる第2制御信号が供給されるゲートとを有する第2Pチャネル型MOSトランジスタと、複数のスタティックメモリセルと、前記複数のスタティックメモリセルに接続された複数のワード線と、前記複数のワード線に接続された複数のワードドライバと、前記複数のスタティックメモリセルに接続された複数のビット線と、を有し、前記複数のスタティックメモリセルは、前記第1Pチャネル型MOSトランジスタの前記ソースードレイン経路を介して前記第1電源線に接続された第1動作電位供給ノードを有し、前記複数のワードドライバは、前記第2Pチャネル型MOSトランジスタの前記ソースードレイン経路を介して前記第1電源線に接続された第2動作電位供給ノードを有することを特徴とする半導体装置。

IPC (3件)：

G11C 11/417 ( 200 6.01) , G11C 5/14 ( 200 6.01) , G11C 8/08 ( 200 6.01)

FI (3件)：

G11C 11/417 100 , G11C 5/14 370 , G11C 8/08

引用特許：

審査官引用 (12件)

半導体集積回路装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平11-264779 出願人：三菱電機株式会社
特開昭54-014624
特開昭59-045689

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