特許

J-GLOBAL ID：201903020426368114

レーザーダイオード素子の位置決め方法

発明者： 小澤 祐二
出願人/特許権者： 三菱電機株式会社
代理人 (4件)： 大岩 増雄 ,  竹中 岑生 ,  村上 啓吾 ,  吉澤 憲治
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2018-083616
公開番号（公開出願番号）：特開2019-190981
出願日： 2018年04月25日
公開日（公表日）： 2019年10月31日
要約：

【課題】半導体検査装置において、従来の方法では、レーザーダイオード素子(LD素子)とLD素子を搭載する固定ステージが直接接触する状態でLD素子の移動を行うため、LD素子を移動させると固定ステージに傷、あるいは摩耗が発生するという問題があった。【解決手段】半導体検査装置で被検査体であるレーザーダイオード素子(LD素子)の検査を行う際、位置合わせ部が有する固定ステージ上にLD素子を搭載するに際し、この固定ステージ上にまず薄膜フィルムを搭載し、その上にLD素子を載置して、前記固定ステージ上で前記LD素子を移動させて位置決めを行い、その後、使用した薄膜フィルムを抜き取る。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

被検査体であるレーザーダイオード素子を載置する固定ステージと、内縁で前記レーザーダイオード素子に接する矩形状の穴を持ち、前記固定ステージの表面に沿って非接触状態で移動する枠体と、を有する位置合わせ部、 前記レーザーダイオード素子に通電する電極と、当該レーザーダイオード素子から発光したレーザー光を受光する受光器と、を有する測定部、 を備えた半導体検査装置におけるレーザーダイオード素子の位置決め方法であって、 前記固定ステージ上に搭載されたレーザーダイオード素子に通電し、発光したレーザー光を前記受光器で受光して当該レーザー光のパワー値を計測する位置での電気的特性検査を行うため、 前記レーザーダイオード素子よりも前記固定ステージの表面との隙間距離が大きい状態にした前記枠体を前記レーザーダイオード素子に接しさせつつ移動することにより、前記固定ステージの表面から離間した状態の前記レーザーダイオード素子を、前記発光したレーザー光のパワー値を計測する位置まで前記固定ステージの表面に沿って移動させて、前記レーザーダイオード素子の位置合わせを行うことを特徴とするレーザーダイオード素子の位置決め方法。

IPC (1件)：

G01R 31/26

FI (2件)：

G01R31/26 F ,  G01R31/26 Z

Fターム (6件)：

2G003AA05 ,  2G003AB00 ,  2G003AG11 ,  2G003AG16 ,  2G003AH01 ,  2G003AH07