特許
J-GLOBAL ID：201903020489738035
トランジスタの作製方法
発明者：
出願人/特許権者：
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願2018-020827
公開番号（公開出願番号）：特開2018-093216
特許番号：特許第6563536号
出願日： 2018年02月08日
公開日（公表日）： 2018年06月14日
請求項（抜粋）：
【請求項1】 ゲート絶縁膜を介してゲート電極と重なる酸化物半導体膜と、
前記酸化物半導体膜上のソース電極及びドレイン電極と、を有するトランジスタの作製方法であって、
前記酸化物半導体膜は、InとGaとZnとを有し、
前記ソース電極及び前記ドレイン電極を形成する工程は、
第1の金属膜を形成する第1工程と、
前記第1の金属膜上に第2の金属膜を形成する第2工程と、
第1のマスクを用いて、前記第2の金属膜の一部を第1のエッチングにより除去する第3工程と、
前記第1のエッチング後に、前記第1の金属膜上及び前記第2の金属膜上に、前記第2の金属膜及び前記第1の金属膜を覆うように第3の金属膜を形成する第4工程と、
第2のマスクを用いて、前記第1の金属膜の一部及び前記第3の金属膜の一部を第2のエッチングにより除去する第5工程と、を有し、
前記第4工程後であり前記第5工程前では、前記第3の金属膜は、前記第1の金属膜上面に接する領域と前記第2の金属膜上面に接する領域とを有し、
前記第2のエッチング後の前記第1の金属膜及び前記第3の金属膜の端部は、前記第1のエッチング後の前記第2の金属膜の端部より外側に延び、
前記第2の金属膜は、銅元素を含み、
前記第1の金属膜及び前記第3の金属膜は、銅元素の拡散を抑制するバリアメタルとしての機能を有することを特徴とするトランジスタの作製方法。
IPC (3件)：
H01L 29/786 ( 200 6.01)
, H01L 21/28 ( 200 6.01)
, H01L 29/417 ( 200 6.01)
H01L 29/78 616 T
, H01L 29/78 616 U
, H01L 29/78 616 V
, H01L 29/78 618 B
, H01L 21/28 301 B
, H01L 21/28 301 R
, H01L 29/50 M
