特許

J-GLOBAL ID：201903020515748974

磁気記憶装置及びその制御方法

発明者： 塩田 陽一 ,  野崎 隆行 ,  湯浅 新治
出願人/特許権者： 国立研究開発法人産業技術総合研究所
代理人 (3件)： 日向寺 雅彦 ,  小崎 純一 ,  市川 浩
公報種別：再公表公報
出願番号（国際出願番号）：JP2018014417
公開番号（公開出願番号）：WO2018-198696
出願日： 2018年04月04日
公開日（公表日）： 2018年11月01日
要約：

実施形態によれば、磁気記憶装置は、積層体及び制御部を含む。積層体は、第1導電層と、第2導電層と、第1導電層と第2導電層との間に設けられた第1磁性層と、第1磁性層と第2導電層との間に設けられた第2磁性層と、第1磁性層と第2磁性層との間に設けられた非磁性層と、を含む。前記非磁性層の単位面積当たりの抵抗値は、20Ωμm2を超える。制御部は、第1導電層及び第2導電層と電気的に接続され第1動作において積層体に書き込みパルスを供給する。書き込みパルスは、書き込みパルスの電位が第1電位から第2電位に向かって変化する立ち上がり期間と、立ち上がり期間の後における第2電位の中間期間と、中間期間の後において書き込みパルスの電位が第2電位から第1電位に向かって変化する立ち下がり期間と、を有する。立ち下がり期間の時間は、立ち上がり期間の時間よりも長い。

請求項（抜粋）：

第1導電層と、 第2導電層と、 前記第1導電層と前記第2導電層との間に設けられた第1磁性層と、 前記第1磁性層と前記第2導電層との間に設けられた第2磁性層と、 前記第1磁性層と前記第2磁性層との間に設けられた非磁性層と、 を含む積層体と、 前記第1導電層及び前記第2導電層と電気的に接続され第1動作において前記積層体に書き込みパルスを供給する制御部と、 を備え、 前記非磁性層の単位面積当たりの抵抗値は、20Ωμm2を超え、 前記書き込みパルスは、 前記書き込みパルスの電位が第1電位から第2電位に向かって変化する立ち上がり期間と、 前記立ち上がり期間の後における前記第2電位の中間期間と、 前記中間期間の後において前記書き込みパルスの前記電位が前記第2電位から前記第1電位に向かって変化する立ち下がり期間と、 を有し、 前記立ち下がり期間の時間は、前記立ち上がり期間の時間よりも長い、磁気記憶装置。

IPC (5件)：

G11C 11/16 ,  H01L 21/823 ,  H01L 27/105 ,  H01L 29/82 ,  H01L 43/08

FI (5件)：

G11C11/16 240 ,  G11C11/16 260 ,  H01L27/105 447 ,  H01L29/82 Z ,  H01L43/08 Z

Fターム (31件)：

4M119AA01 ,  4M119AA05 ,  4M119AA08 ,  4M119BB01 ,  4M119CC05 ,  4M119DD06 ,  4M119DD09 ,  4M119DD45 ,  5F092AA03 ,  5F092AA04 ,  5F092AA15 ,  5F092AB06 ,  5F092AC12 ,  5F092AD03 ,  5F092AD25 ,  5F092AD28 ,  5F092BB22 ,  5F092BB23 ,  5F092BB33 ,  5F092BB35 ,  5F092BB36 ,  5F092BB37 ,  5F092BB42 ,  5F092BB43 ,  5F092BB55 ,  5F092BC04 ,  5F092BC07 ,  5F092BE24 ,  5F092BE27 ,  5F092DA04 ,  5F092DA07