特許
J-GLOBAL ID：201903020556161260

高電子移動度トランジスタ

発明者：
中田 健

中田 健 について


出願人/特許権者：
住友電工デバイス・イノベーション株式会社

住友電工デバイス・イノベーション株式会社 について


代理人 (4件)： 長谷川 芳樹 ,  黒木 義樹 ,  ▲高▼木 邦夫 ,  寺澤 正太郎
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2018-084397
公開番号（公開出願番号）：特開2019-192795
出願日： 2018年04月25日
公開日（公表日）： 2019年10月31日
要約：
【課題】製造工程の増加を抑制しつつオーミック電極とチャネル層とのコンタクト抵抗を低減できるHEMTを提供する。【解決手段】窒化物半導体を主に含み、基板の主面上に設けられ、基板とは反対側に窒素面を有するバリア層と、窒化物半導体を主に含み、バリア層上に設けられ、バリア層のバンドギャップよりも小さいバンドギャップを有するチャネル層と、窒化物半導体を主に含み、チャネル層上に設けられ、チャネル層の不純物濃度よりも大きい不純物濃度を有する高濃度半導体層と、高濃度半導体層上に設けられ、高濃度半導体層とオーミック接触を成すソース電極及びドレイン電極と、ソース電極とドレイン電極との間に設けられたゲート電極と、を備える。高濃度半導体層は、ソース電極及びドレイン電極の直下に位置する領域から、少なくともゲート電極の直下に位置する領域にわたって延在する。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
窒化物半導体を主に含み、基板の主面上に設けられ、前記基板とは反対側に窒素面を有するバリア層と、 窒化物半導体を主に含み、前記バリア層上に設けられ、前記バリア層のバンドギャップよりも小さいバンドギャップを有するチャネル層と、 窒化物半導体を主に含み、前記チャネル層上に設けられ、前記チャネル層の不純物濃度よりも大きい不純物濃度を有する高濃度半導体層と、 前記高濃度半導体層上に設けられ、前記高濃度半導体層とオーミック接触を成すソース電極及びドレイン電極と、 前記ソース電極と前記ドレイン電極との間に設けられたゲート電極と、 を備え、 前記高濃度半導体層は、前記ソース電極及び前記ドレイン電極の直下に位置する領域から、少なくとも前記ゲート電極の直下に位置する領域にわたって延在する、高電子移動度トランジスタ。
IPC (3件)：
H01L 21/338 ,  H01L 29/778 ,  H01L 29/812
FI (1件)：
H01L29/80 H
Fターム (24件)：
5F102FA03 ,  5F102GB01 ,  5F102GC01 ,  5F102GD01 ,  5F102GJ02 ,  5F102GJ03 ,  5F102GJ04 ,  5F102GJ10 ,  5F102GK04 ,  5F102GK08 ,  5F102GL04 ,  5F102GM04 ,  5F102GM08 ,  5F102GN04 ,  5F102GQ02 ,  5F102GR01 ,  5F102GR03 ,  5F102GS01 ,  5F102GS04 ,  5F102GT01 ,  5F102GV05 ,  5F102HC01 ,  5F102HC02 ,  5F102HC16
引用特許：
出願人引用 (5件)
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審査官引用 (4件)
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