レジストパターン形成方法

発明者： ,
出願人/特許権者：
代理人 (4件)：杉村憲司 , 杉村光嗣 , 寺嶋勇太 , 結城仁美
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2018-055193
公開番号（公開出願番号）：特開2019-168550
出願日： 2018年03月22日
公開日（公表日）： 2019年10月03日
要約：

【課題】高い解像性と、パターン欠陥の発生抑制とを両立することができる、レジストパターン形成方法を提供する。【解決手段】本発明のレジストパターン形成方法は、所定の単量体単位を有するとともに、Gx値が、0.1以下である重合体と、溶剤とを含む、ポジ型レジスト組成物を用いて主鎖切断型のポジ型レジスト膜を形成する工程と、ポジ型レジスト膜を露光する工程と、露光されたポジ型レジスト膜を現像液と接触させて現像し、現像膜を得る現像工程と、を含み、現像液が、炭素数7以上のケトン系溶剤である、ことを特徴とする。【選択図】なし

請求項（抜粋）：

下記一般式(I):

IPC (5件)：

G03F 7/039 , G03F 7/32 , G03F 7/20 , C08F 220/12 , C08F 212/12

FI (6件)：

G03F7/039 501 , G03F7/32 , G03F7/32 501 , G03F7/20 521 , C08F220/12 , C08F212/12

Fターム (35件)：

2H196AA25 , 2H196BA09 , 2H196EA06 , 2H196GA03 , 2H196GA18 , 2H197AA22 , 2H197AA24 , 2H197CA07 , 2H197CA09 , 2H197CE10 , 2H197HA03 , 2H197JA22 , 2H197JA24 , 2H225AM14P , 2H225AM30P , 2H225AN31P , 2H225CA12 , 2H225CB18 , 2H225CC03 , 2H225CC20 , 2H225CD05 , 4J100AB01Q , 4J100AB03Q , 4J100AL26P , 4J100BA03P , 4J100BA11P , 4J100BA15P , 4J100BC07P , 4J100BC08P , 4J100BC09P , 4J100BC12P , 4J100CA04 , 4J100DA01 , 4J100DA04 , 4J100JA38

引用特許：

審査官引用 (1件)

共重合体の製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2016-061742 出願人：日本ゼオン株式会社

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