特許

J-GLOBAL ID：201903020795338830

p型半導体膜および電子デバイス

発明者： 松澤 伸行 ,  笹子 勝 ,  中 順一
出願人/特許権者： パナソニックIPマネジメント株式会社
代理人 (2件)： 鎌田 健司 ,  野村 幸一
公報種別：再公表公報
出願番号（国際出願番号）：JP2018029502
公開番号（公開出願番号）：WO2019-044412
出願日： 2018年08月07日
公開日（公表日）： 2019年03月07日
要約：

正孔移動度がより十分に高いヘテロフラーレンを含むp型半導体膜を提供する。p型半導体膜は、フラーレンを構成する炭素原子のうちn+r(個)(nおよびrはともに正の奇数)の炭素原子をn個のホウ素原子およびr個の窒素原子で置換したヘテロフラーレンを含む。

請求項（抜粋）：

フラーレンを構成する炭素原子のうちn+r(個)(nおよびrはともに正の奇数)の炭素原子をn個のホウ素原子およびr個の窒素原子で置換したヘテロフラーレンを含むp型半導体膜。

IPC (5件)：

H01L 51/30 ,  H01L 51/05 ,  H01L 29/786 ,  C01B 32/154 ,  C01B 32/156

FI (5件)：

H01L29/28 250E ,  H01L29/28 100A ,  H01L29/78 618B ,  C01B32/154 ,  C01B32/156

Fターム (38件)：

4G146AA09 ,  4G146AA15 ,  4G146AA17 ,  4G146AB07 ,  4G146AC19B ,  4G146AD21 ,  4G146AD28 ,  4G146AD30 ,  4G146BA04 ,  4G146BB23 ,  4G146BC09 ,  4G146BC27 ,  4G146CB10 ,  4G146CB12 ,  4G146CB13 ,  4G146CB16 ,  4G146CB17 ,  4G146CB32 ,  4G146CB35 ,  5F110AA01 ,  5F110CC03 ,  5F110CC05 ,  5F110DD05 ,  5F110DD12 ,  5F110DD13 ,  5F110DD14 ,  5F110EE02 ,  5F110EE03 ,  5F110EE08 ,  5F110FF01 ,  5F110FF02 ,  5F110FF03 ,  5F110GG01 ,  5F110GG05 ,  5F110GG42 ,  5F110HK02 ,  5F110HK03 ,  5F110HK09