特許
J-GLOBAL ID:201903020865794030

推定装置、蓄電装置、推定方法、及びコンピュータプログラム

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (2件): 河野 英仁 ,  河野 登夫
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2018-133649
公開番号(公開出願番号):特開2019-020413
出願日: 2018年07月13日
公開日(公表日): 2019年02月07日
要約:
【課題】蓄電量-電位特性が充放電の繰り返しにより変化する単極を持つ蓄電素子の内部状態を推定できる推定装置、該推定装置を備える蓄電装置、内部状態の推定方法、及びコンピュータプログラムを提供する。【解決手段】推定装置6は、蓄電素子3の蓄電量-電圧充電特性である第3特性及び/又は蓄電量-電圧放電特性である第4特性の一部の情報を取得する取得部62と、充放電の繰り返しにより変化する特徴値の変化に対応して、第1特性、第2特性、蓄電量-電圧充電特性である第3特性、蓄電量-電圧放電特性である第4特性、及び、V-dQ/dVの少なくともいずれかである蓄電量特性を複数記憶し、又は前記特徴値の関数として記憶する記憶部63と、前記情報及び前記蓄電量特性に基づいて、蓄電素子3の内部状態を推定する第1推定部62とを備える。【選択図】図6
請求項(抜粋):
蓄電量-電位充電特性である第1特性及び蓄電量-電位放電特性である第2特性が充放電の繰り返しにより変化する活物質を含む単極を有する蓄電素子の内部状態を推定する推定装置であって、 前記蓄電素子の蓄電量-電圧充電特性である第3特性及び/又は蓄電量-電圧放電特性である第4特性の一部の情報を取得する取得部と、 充放電の繰り返しにより変化する特徴値の変化に対応して、第1特性、第2特性、第3特性、第4特性、及び、V-dQ/dVの少なくともいずれかである蓄電量特性を複数記憶し、又は前記特徴値の関数として記憶する記憶部と、 前記情報、及び、前記蓄電量特性又は前記関数に基づいて、前記蓄電素子の内部状態を推定する第1推定部とを備える、推定装置。
IPC (4件):
G01R 31/36 ,  H01M 10/48 ,  H01M 10/42 ,  H02J 7/00
FI (4件):
G01R31/36 A ,  H01M10/48 P ,  H01M10/42 P ,  H02J7/00 Q
Fターム (35件):
2G216AB01 ,  2G216BA02 ,  2G216BA03 ,  2G216BA04 ,  2G216BA13 ,  2G216BA18 ,  2G216BA42 ,  2G216BA43 ,  2G216BA51 ,  2G216CA02 ,  2G216CA05 ,  2G216CA11 ,  2G216CB07 ,  2G216CB34 ,  2G216CB41 ,  2G216CB52 ,  2G216CC02 ,  2G216CC04 ,  2G216CC06 ,  5G503BA03 ,  5G503BB01 ,  5G503CA01 ,  5G503CA11 ,  5G503EA05 ,  5G503EA09 ,  5G503GD03 ,  5G503GD04 ,  5G503GD06 ,  5H030AA01 ,  5H030AA10 ,  5H030AS06 ,  5H030AS08 ,  5H030FF42 ,  5H030FF43 ,  5H030FF44
引用特許:
出願人引用 (1件) 審査官引用 (1件)

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