特許
J-GLOBAL ID：201903020989126176
光電変換装置の製造方法
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (2件)：
新宅 将人
, 吉本 力
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願2017-557850
特許番号：特許第6609324号
出願日： 2016年12月06日
請求項（抜粋）：
【請求項1】 導電型単結晶シリコン基板の一方の主面上に、真性シリコン系薄膜、および導電型シリコン系薄膜をこの順に有する結晶シリコン系太陽電池を製造する方法であって、
導電型単結晶シリコン基板上に、3〜15nmの膜厚を有する第一真性薄膜を形成する工程;
前記第一真性薄膜の表面を水素プラズマに暴露して水素プラズマエッチングを行う工程;
水素プラズマエッチング後の前記第一真性薄膜上に、0.5〜5nmの膜厚を有する第二真性薄膜を形成する工程;および
前記第二真性薄膜上に接する導電型シリコン系薄膜を形成する工程、をこの順に有し、
前記水素プラズマエッチングおよび前記第二真性薄膜の形成は、複数の導電型単結晶シリコン基板をCVDチャンバ内に配置した状態で、同一のCVDチャンバ内で実施され、
前記水素プラズマエッチング時のパワー密度が60mW/cm2以上であり、
前記第二真性薄膜は、CVDチャンバ内にシリコン含有ガスおよび水素を導入しながらプラズマCVDにより形成され、第二真性薄膜形成時のCVDチャンバ内への水素導入量がシリコン含有ガス導入量の50〜500倍であり、
前記第二真性薄膜形成時のパワー密度が、60mW/cm2以上、かつ前記水素プラズマエッチング時のパワー密度の0.7〜1.3倍である、結晶シリコン系太陽電池の製造方法。
IPC (2件)：
H01L 31/0747 ( 201 2.01)
, H01L 31/18 ( 200 6.01)
H01L 31/06 455
, H01L 31/04 420
