特許

J-GLOBAL ID：201903021281741683

トンネル磁気抵抗素子及びその製造方法

発明者： 安藤 康夫 ,  大兼 幹彦 ,  藤原 耕輔 ,  城野 純一 ,  土田 匡章
出願人/特許権者： 国立大学法人東北大学 ,  コニカミノルタ株式会社
代理人 (1件)： 特許業務法人光陽国際特許事務所
公報種別：再公表公報
出願番号（国際出願番号）：JP2017022551
公開番号（公開出願番号）：WO2017-221896
出願日： 2017年06月19日
公開日（公表日）： 2017年12月28日
要約：

トンネル磁気抵抗素子の自由磁性層の構造を改善し、リニアリティの高い磁気抵抗特性を実現する。基板2に近い側から、固定磁性層10、絶縁層20、自由磁性層30の順で積層され、自由磁性層は、下面を絶縁層に接合する強磁性層31、及び当該強磁性層の上面に接触して積層された軟磁性層33を有する。自由磁性層を構成する強磁性層及び軟磁性層の磁化容易軸(A2)は互いに同方向にあり、かつ、固定磁性層の磁化容易軸(A1)に対して異なる方向にある

請求項（抜粋）：

磁化の向きが固定された固定磁性層、外部からの磁場の影響を受けて磁化の向きが変化する自由磁性層、及び、前記固定磁性層と前記自由磁性層との間に配置された絶縁層により、磁気トンネル接合を形成し、前記固定磁性層の磁化の向きと前記自由磁性層の磁化の向きとの角度差に従ってトンネル効果により絶縁層の抵抗を変化させるトンネル磁気抵抗素子であって、 前記磁性層及び絶縁層を支持する基板に近い側から、前記固定磁性層、前記絶縁層、前記自由磁性層の順で積層され、 前記自由磁性層は、下面を前記絶縁層に接合する強磁性層、及び当該強磁性層の上面に接触して積層された軟磁性層を有することを特徴とするトンネル磁気抵抗素子。

IPC (5件)：

H01L 43/08 ,  H01L 43/10 ,  H01L 43/12 ,  H01F 10/13 ,  H01F 41/18

FI (5件)：

H01L43/08 M ,  H01L43/08 Z ,  H01L43/12 ,  H01F10/13 ,  H01F41/18

Fターム (32件)：

5E049AA01 ,  5E049AA07 ,  5E049AC01 ,  5E049BA16 ,  5E049CB02 ,  5E049DB02 ,  5E049EB01 ,  5E049GC01 ,  5F092AA01 ,  5F092AB01 ,  5F092AB02 ,  5F092AB06 ,  5F092AC12 ,  5F092AD22 ,  5F092BB10 ,  5F092BB17 ,  5F092BB22 ,  5F092BB23 ,  5F092BB34 ,  5F092BB35 ,  5F092BB36 ,  5F092BB42 ,  5F092BB43 ,  5F092BB53 ,  5F092BB55 ,  5F092BC07 ,  5F092BC13 ,  5F092BE04 ,  5F092BE06 ,  5F092CA09 ,  5F092CA23 ,  5F092CA25