研究者
J-GLOBAL ID：202001000427871718   更新日: 2024年04月01日

玄地 真悟

ゲンチ シンゴ | Genchi Shingo
所属機関・部署：
地方独立行政法人大阪産業技術研究所 電子・機械システム研究部

地方独立行政法人大阪産業技術研究所 電子・機械システム研究部 について


職名： 研究員
研究分野 (2件)： ナノ構造物理 ,  薄膜、表面界面物性
研究キーワード (3件)： 遷移金属酸化物 ,  2次元層状物質 ,  薄膜物性
競争的資金等の研究課題 (1件)：
  • 2020 - 2023 遷移金属酸化物/2次元層状物質ファンデルワールス構造・機能インテグレーション
論文 (9件)：
  • 玄地 真悟. 二次元層状六方晶窒化ホウ素上への遷移金属酸化物薄膜結晶成長と素子応用. 大阪大学, 2023, 博士論文. 2023
  • Shingo Genchi, Shu Nakaharai, Takuya Iwasaki, Kenji Watanabe, Takashi Taniguchi, Yutaka Wakayama, Azusa N. Hattori, Hidekazu Tanaka. Step electrical switching in VO2 on hexagonal boron nitride using confined individual metallic domains. Japanese Journal of Applied Physics. 2023. 62. SG. SG1008-SG1008
  • Dongxun Yang, Fumikazu Murakami, Shingo Genchi, Hidekazu Tanaka, Masayoshi Tonouchi. Noncontact evaluation of the interface potential in VO2/Si heterojunctions across metal-insulator phase transition. Applied Physics Letters. 2023. 122. 4. 041601-041601
  • Dongxun Yang, Fumikazu Murakami, Shingo Genchi, Hidekazu Tanaka, Masayoshi Tonouchi. Interface Potential Estimation on VO2/Si Heterojunction by Terahertz Emission Spectroscopy with Temperature Variation. International Conference on Infrared, Millimeter, and Terahertz Waves, IRMMW-THz. 2023
  • Kyungmin Kim, Shingo Genchi, Shiro Yamazaki, Hidekazu Tanaka, Masayuki Abe. Crystal orientation dependence of metal-insulator transition for VO2microwires fabricated on TiO2(110) substrates with step and terrace structures. Applied Physics Express. 2022. 15. 4. 045503-045503
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MISC (14件)：
  • 玄地真悟, 中払周, 岩崎拓哉, 渡邊賢司, 谷口尚, 若山裕, 服部梓, 田中秀和. ドメイン閉じ込めによるVO2/hBNでのステップ電流スイッチ. 応用物理学会春季学術講演会講演予稿集(CD-ROM). 2023. 70th
  • KIM Kyungmin, 玄地真悟, 山崎詩郎, 田中秀和, 阿部真之. ステップテラス構造を用いたVO2薄膜の金属-絶縁体相転移特性の異方性制御. 表面と真空. 2023. 66. 7. 411-415
  • KIM Kyungmin, 玄地真悟, 山崎詩郎, 田中秀和, 阿部真之. TiO2(110)ステップ基板上VO2薄膜の相転移特性の素子方向依存性. 応用物理学会春季学術講演会講演予稿集(CD-ROM). 2022. 69th
  • 玄地真悟, 深町悟, 大坂藍, 服部梓, 吾郷浩樹, 田中秀和. CVD成長大面積hBNシートへの遷移金属酸化物薄膜結晶の成長. 応用物理学会春季学術講演会講演予稿集(CD-ROM). 2022. 69th
  • 金庚民, 玄地真悟, 山崎詩郎, 田中秀和, 阿部真之. ステップテラス構造を有するTiO2(110)基板上VO2薄膜の金属-絶縁体相転移における結晶方位依存性. 日本金属学会講演大会(Web). 2022. 171st
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書籍 (1件)：
  • いざ、世界の舞台へ
    生産技術振興協会 季刊誌「生産と技術」 Vol.72, No.2 2020
講演・口頭発表等 (13件)：
  • Step-like electric current switching in VO2/hBN device using individual metallic domains
    (35th International Microprocesses and Nanotechnology Conference (MNC 2022) 2022)
  • CVD成長大面積hBNシートへの遷移金属酸化物薄膜結晶の成長
    (第69回 応用物理学会 春季学術講演会 2022)
  • Growth of Fe3O4 thin films on hBN showing prominent Verway transition
    (Materials Research Meeting 2021 2021)
  • Characterization of Verway transition property in Fe3O4 thin films growth on transferable hBN substrate
    (International Workshop on Oxide Electronics 2021)
  • 転写可能hBN剥片上でのFe3O4薄膜成長の実現
    (日本金属学会 2021年 秋期 第169回 公演大会 2021)
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学歴 (4件)：
  • 2020 - 2023 大阪大学 大学院基礎工学研究科 物質創成専攻 未来物質領域 博士後期課程
  • 2018 - 2023 インタラクティブ物質科学・カデットプログラム(大阪大学博士課程教育リーディングプログラム)
  • 2018 - 2020 大阪大学 大学院基礎工学研究科 物質創成専攻 未来物質領域 博士前期課程
  • 2014 - 2018 大阪大学 基礎工学部 電子物理科学科
学位 (3件)：
  • 博士(理学) (大阪大学)
  • 修士(工学) (大阪大学)
  • 学士(工学) (大阪大学)
経歴 (5件)：
  • 2024/04 - 現在 地方独立行政法人大阪産業技術研究所
  • 2023/04 - 2024/03 AGC株式会社
  • 2022/08 - 2023/03 国立研究開発法人物質・材料研究機構 研修生
  • 2020/04 - 2023/03 独立行政法人日本学術振興会 特別研究員DC1
  • 2020/09 - 2020/12 国立研究開発法人物質・材料研究機構 研修生
受賞 (3件)：
  • 2019/11 - International Symposium for Nano Science Best Poster Presentation Award
  • 2019/10 - 公益財団法人NEC C&C財団 2019年度後期国際会議論文発表者助成
  • 2019/10 - 一般社団法人生産技術振興協会 海外論文発表奨励賞
所属学会 (1件)：
応用物理学会
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