研究者
J-GLOBAL ID：202001000577309082   更新日: 2024年02月01日

三谷 祐一郎

ミタニ ユウイチロウ | MITANI YUICHIRO
所属機関・部署：
東京都市大学 理工学部 電気電子通信工学科

東京都市大学 理工学部 電気電子通信工学科 について


職名： 教授
研究分野 (2件)： 電子デバイス、電子機器 ,  電子デバイス、電子機器
研究キーワード (4件)： 不揮発性メモリ ,  デバイス信頼性 ,  ナノエレクトロニクス ,  電子デバイス
競争的資金等の研究課題 (3件)：
  • 2022 - 2025 原子状水素を用いたシリコン窒化薄膜のナノ欠陥制御と信頼性向上に関する研究
  • 2022 - 2024 マイクロ波励起プラズマ処理によるシリコン窒化膜中水素濃度分布制御と電圧駆動型固体素子ニューロンの開発
  • 1999 - 2000 趙微粒子制御クリーニング基礎技術
論文 (113件)：
  • Rino Kawashima, Hiroshi Nohira, Ryousuke Ishikawa, Yuichiro Mitani. Fabrication of metal/oxide/fluorographene/oxide/silicon capacitors and their charge trapping properties. Japanese Journal of Applied Physics. 2023. 62. SG. SG1035-SG1035
  • Yuichiro Mitani. Re-consideration of Influence of Fluorine on SiO2 and SixNy Reliabilities. 2021 5th IEEE Electron Devices Technology & Manufacturing Conference (EDTM). 2021
  • Harumi Seki, Yasushi Nakasaki, Yuichiro Mitani. Further Investigation on Mechanism of Trap Level Modulation in Silicon Nitride Films by Fluorine Incorporation. 2020 IEEE International Reliability Physics Symposium (IRPS). 2020
  • Kouichi Muraoka, D. Matsushita, Y. Nakasaki, K. Kato, S. Kikuchi, K. Sakuma, Y. Mitani, K. Eguchi, Mariko Takayanagi. Dramatic Improvement of Vfb Shift and Gmmax with Ultra-thin and Ultra-low-leakage SiN-based SiON Gate Dielectrics. ECS Transactions. 2019. 6. 3. 313-327
  • Yuichiro Mitani, Hideki Satake, Akira Toriumi. Impact of Deuterium and Fluorine Incorporation on Weibull Distribution of Dielectric Breakdown in Gate Dielectrics. ECS Transactions. 2019. 19. 2. 227-242
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MISC (7件)：
  • 丸亀孝生, 西義文, 三谷祐一郎. ディープラーニング ハードウェアの低消費電力化に寄与する学習時メモリーエラー解析手法. 東芝レビュー. 2017. 72. 2. 38-39
  • 陳ジィエジィ, 棚本哲史, 三谷祐一郎. PUFによる個体認証セキュリティ技術へのランダムテレグラフノイズの適用. 東芝レビュー. 2016. 71. 2. 23-26
  • 陳ジィエジィ, 平野泉, 三谷祐一郎. 微細電界効果トランジスタにおけるランダムテレグラフノイズを引き起こす欠陥機構の解明. 東芝レビュー. 2013. 68. 8. 27-30
  • 深津茂人, 平野泉, 三谷祐一郎. 次世代LSIに向けたメタルゲート電極/高誘電率ゲート絶縁膜の高信頼化技術. 東芝レビュー. 2010. 65. 7. 28-32
  • 三谷祐一郎, 佐竹秀喜. 重水素による極薄ゲート酸化膜の高信頼化実証と信頼性向上機構の解明. 東芝レビュー. 2002. 57. 11. 31-34
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特許 (98件)：
  • Individual identification device, storage device, individual identification system, method of individual identification, and program product
  • 復号装置、復号方法およびメモリシステム
  • メモリシステムおよび制御方法
  • 認証システム、認証装置および認証方法
  • Information processing system and semiconductor device
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書籍 (1件)：
  • 薄膜作製応用ハンドブック
    エヌ・ティー・エス 2020 ISBN:9784860436315
講演・口頭発表等 (104件)：
  • 水素ラジカルを用いたシリコン窒化膜中水素量の制御
    (第28回 電子デバイス界面テクノロジー研究会 2023)
  • AlScN強誘電体トンネル接合の伝導特性に及ぼす酸素プラズマ界面層の影響
    (第28回 電子デバイス界面テクノロジー研究会 2023)
  • Study on Fluorographene Charge Trapping layer for Nonvolatile Memory Applications
    (The 2022 International Meeting for Future of Electron Devices, Kansai 2022)
  • Carrier trapping characteristics of fluorographene for nonvolatile memory applications
    (35th International Microprocesses and Nanotechnology Conference (MNC 2022) 2022)
  • フッ化グラフェンを用いた不揮発性メモリの電荷捕獲特性
    (第83回応用物理学会秋季学術講演会 2022)
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学歴 (4件)：
  • - 2009 東京大学 工学部 工学博士(論文博士)
  • 1990 - 1992 東北大学 大学院工学研究科 材料物性学専攻
  • 1986 - 1990 東北大学 工学部 材料物性学科
  • 1983 - 1986 東京都立西高等学校
経歴 (10件)：
  • 2020/04 - 現在 東京都市大学 理工学部 電気電子通信工学科 教授
  • 2019/10 - 2020/03 キオクシア株式会社 メモリ技術研究所、デバイス技術センター 新規メモリ開発部 グループ長
  • 2019/04 - 2019/09 東芝メモリ株式会社 メモリ技術研究所、デバイス技術センター 新規メモリ開発部 グループ長
  • 2017/10 - 2019/03 東芝メモリ株式会社 メモリ技術研究所、デバイス技術センター 新規メモリ開発部 主幹
  • 2012/07 - 2017/09 株式会社東芝 研究開発センターLSI基盤技術ラボラトリ 研究主幹
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委員歴 (20件)：
  • 2020/10 - 現在 IEEE International Reliability Physics Symposium (IRPS) Memory Reliability Technical Committee member
  • 2020/06 - 現在 IEEE Electron Devices Technology and Manufacturing (EDTM) Semiconductor Devices sub-committee
  • 2020/04 - 現在 International Microprocesses and Nanotechnology Conference (MNC) Nanodevices Technical Committee member
  • 2015/10 - 現在 IEEE International Integrated Reliability Workshop (IIRW) Subcommittee member
  • 2009/05 - 現在 IEEE International Conference on IC Design & Technology (ICICDT) Reliability Session Chair
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受賞 (2件)：
  • 2017/11 - 2017 International Workshop on DIELECTRIC THIN FILMS FOR FUTURE ELECTRON DEVICES - SCIENCE AND TECHNOLOGY - Young Award Experimental Evidence of Trap Level Modulation in SiN Thin Film by Hydrogen Annealing
  • 2017/04 - IEEE International Conference on IC Design & Technology (ICICDT) 功績賞
所属学会 (2件)：
IEEE ,  応用物理学会
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