松田祥伸

Matsuda Yoshinobu

所属機関・部署：
職名：特定助教
ホームページURL (1件)： http://www.optomater.kuee.kyoto-u.ac.jp/

研究分野 (5件)：薄膜、表面界面物性 , 光工学、光量子科学 , 結晶工学 , 半導体、光物性、原子物理 , 電子デバイス、電子機器

研究キーワード (4件)： InGaN , 有機金属気相成長法 , LED , 窒化物半導体

競争的資金等の研究課題 (2件)：

論文 (10件)：

Yoshinobu Matsuda, Mitsuru Funato, Yoichi Kawakami. InGaN-based LEDs on convex lens-shaped GaN arrays toward multiwavelength light emitters. Applied Physics Express. 2023
Yoshinobu Matsuda, Souta Funato, Mitsuru Funato, Yoichi Kawakami. Multiwavelength-emitting InGaN quantum wells on convex-lens-shaped GaN microstructures. Applied Physics Express. 2022
Takato Fukui, Taro Sakaguchi, Yoshinobu Matsuda, Makoto Matsukura, Takahiro Kojima, Mitsuru Funato, Yoichi Kawakami. Metalorganic vapor phase epitaxy of GaN on 2 inch ScAlMgO4 (0001) substrates. Japanese Journal of Applied Physics. 2022
Mitsuru Funato, Yoshinobu Matsuda, Keito Mori-Tamamura, Atsushi A. Yamaguchi, Hiroki Goto, Yasunobu Sumida, Yujiro Ishihara, Yoichi Kawakami. Optical anisotropy of (11 2 ̄3) semipolar InGaN quantum wells homoepitaxially grown on GaN substrates. Journal of Applied Physics. 2022. 131. 7. 074502-074502
Yoshinobu Matsuda, Mitsuru Funato, Yoichi Kawakami. Growth evolution of polar-plane-free faceted GaN structures on (11-22) and (-1-12-2) GaN substrates. Journal of Applied Physics. 2021. 129. 16. 163104-163104

MISC (1件)：

松田祥伸, 船戸充, 川上養一. 極性面フリーなInGaNマルチファセット構造を用いた多波長発光の実現 (電子デバイス). 電子情報通信学会技術研究報告 = IEICE technical report : 信学技報. 2016. 116. 356. 67-70

学歴 (1件)：

学位 (1件)：

経歴 (1件)：

受賞 (5件)：

2022 - 応用物理学会第53回秋季応用物理学会講演奨励賞自在な構造制御による多波長発光を目指したGaNマイクロレンズ構造上InGaN LED
2021 - 日本結晶成長学会ナノ構造・エピタキシャル成長講演会研究奨励賞
2020/10 - The 2nd Advanced Nanomics Symposium Best Poster Presentation Award
2020/04 - The 7th International Conference on Light-Emitting Devices and Their Industrial Applications (LEDIA2019) Yamaguchi Masahito Award
2017/01 - 電子情報通信学会レーザ・量子エレクトロニクス研究会 LQE奨励賞

所属学会 (2件)：

応用物理学会結晶工学分科会 , 応用物理学会

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松田 祥伸