渡部平司

ワタナベヘイジ | Watanabe Heiji

所属機関・部署：
職名：教授
ホームページURL (1件)： http://www-ade.prec.eng.osaka-u.ac.jp/index.html
競争的資金等の研究課題 (30件)：

2021 - 2024 炭化珪素半導体MOS界面科学と界面設計指針の再構築
2021 - 2024 高Sn組成GeSn結晶創成を目指したスパッタエピタキシー法の構築
2019 - 2023 界面反応制御を基軸とした高効率高信頼性GaN半導体MOSデバイスの創成
2015 - 2018 局所液相エピタキシャル成長によるGeSnワイヤの形成とその光電子デバイス応用
2013 - 2018 相界面反応制御技術を基軸とした混晶材料の設計と新機能発現

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論文 (949件)：

Takuma Kobayashi, Asato Suzuki, Takato Nakanuma, Mitsuru Sometani, Mitsuo Okamoto, Akitaka Yoshigoe, Takayoshi Shimura, Heiji Watanabe. Characterization of nitrided SiC(1 1 ̅ 00) MOS structures by means of electrical measurements and X-ray photoelectron spectroscopy. Materials Science in Semiconductor Processing. 2024. 175. 108251-108251
Takuma Kobayashi, Kazuki Tomigahara, Mikito Nozaki, Takayoshi Shimura, Heiji Watanabe. Separate evaluation of interface and oxide hole traps in SiO₂/GaN MOS structures with below- and above-gap light excitation. Applied Physics Express. 2023. 17. 1. 011003-011003
Tae-Hyeon Kil, Takuma Kobayashi, Takayoshi Shimura, Heiji Watanabe. Design of SiO2/4H-SiC MOS interfaces by sputter deposition of SiO2 followed by high-temperature CO2-post deposition annealing. AIP Advances. 2023. 13. 11. 115304-1-115304-5
Takuma Kobayashi, Takayoshi Shimura, Heiji Watanabe. Oxygen-vacancy defect in 4H-SiC as a near-infrared emitter: An ab initio study. Journal of Applied Physics. 2023. 134. 14. 145701-1-145701-9
Hidetoshi Mizobata, Mikito Nozaki, Takuma Kobayashi, Takayoshi Shimura, Heiji Watanabe. Passivation of hole traps in SiO₂/GaN metal-oxide-semiconductor devices by high-density magnesium doping. Applied Physics Express. 2023. 16. 10. 105501-1-105501-4

MISC (11件)：

白川裕規, 神谷克政, 渡部平司, 白石賢二. 10aAS-1 SiC-MOSデバイスにおけるプロトン拡散の理論的検討(10aAS 表面界面ダイナミクス/水素ダイナミクス,領域9(表面・界面,結晶成長)). 日本物理学会講演概要集. 2014. 69. 2. 674-674
細井卓治, 東雲秀司, 柏木勇作, 保坂重敏, 中村亮太, 箕谷周平, 中野佑紀, 浅原浩和, 中村孝, 木本恒暢, et al. AIONゲート絶縁膜導入によるSiCパワーMOSFETの高性能化及び信頼性向上 (シリコン材料・デバイス・IEDM特集(先端CMOSデバイス・プロセス技術)). 電子情報通信学会技術研究報告 : 信学技報. 2013. 112. 421. 19-22
渡部平司, 細井卓治. High-κゲートスタック技術の進展と最新動向 (特集世界的な競争領域にある最先端デバイス技術) -- (CMOS技術の最前線). 電子情報通信学会誌 : The Journal of the Institute of Electronics, Information and Communication Engineers. 2012. 95. 11. 960-964
川村浩太, 三島永嗣, 志村考功, 渡部平司, 安武潔, 神山聡, 赤坂泰志, 奈良安雄, 中村邦雄, 山田啓作. X線反射率測定によるTiN/HfSiON界面の熱安定性評価. 精密工学会大会学術講演会講演論文集. 2006. 2006. I04
三島永嗣, 川村浩太, 志村考功, 渡部平司, 安武潔, 神山聡, 赤坂泰志, 奈良安雄, 中村邦雄, 山田啓作. 熱処理に伴うHfSiO_x/SiO₂/Si構造の界面酸化反応のX線CTR散乱測定. 精密工学会大会学術講演会講演論文集. 2005. 2005. 0. J45-820

特許 (21件)：

X線位相差撮像装置
単結晶状GeSn含有材料の製造方法および単結晶状GeSn含有材料基板
高誘電率薄膜を用いた半導体装置の製造方法
半導体装置およびその製造方法
半導体装置およびその製造方法

書籍 (1件)：

Fundamental Aspects of Silicon Oxidation, Springer (Layer-by-Layer Oxidation of Si(001) Surfaces, pp.89-105.)
Springer 2001

講演・口頭発表等 (80件)：

犠牲酸化プロセスによる SiC MOSFET の電気特性劣化
(第71回応用物理学会春季学術講演会 2024)
Si基板上GeSn細線のレーザー溶融結晶化における下地SiO2膜厚とレーザー走査速度の最適化
(第71回応用物理学会春季学術講演会 2024)
低温追酸化によるSiO2/SiC界面発光中心の密度制御と電気特性との相関
(第71回応用物理学会春季学術講演会 2024)
第一原理計算に基づく4H-SiC中酸素関連欠陥の系統的調査
(第71回応用物理学会春季学術講演会 2024)
Si 基板上 GeSn 細線のレーザー溶融結晶化におけるレーザー走査条件と下地 SiO2膜厚の最適化
(第 29 回電子デバイス界面テクノロジー研究会 2024)

学歴 (2件)：

- 1990 大阪大学工学研究科精密工学専攻
- 1988 大阪大学工学部精密工学科

経歴 (16件)：

2022/07 - 現在日本学術振興会学術システム研究センター主任研究員
2020/04/01 - 現在大阪大学工学研究科物理学系専攻教授
2019/08 - 現在大阪大学大学院工学研究科副研究科長
2017/04 - 現在大阪大学・栄誉教授
2014/04 - 現在大阪大学大学院工学研究科執行部(総務室長)

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受賞 (16件)：

2022/07 - 公益社団法人応用物理学会第16回(2022年度) 応用物理学会フェロー表彰半導体表面界面科学を基軸とした先端MOSデバイスの研究開発
2021/08 - 公益社団法人応用物理学会第43回(2021年度)応用物理学会解説論文賞
2019/04 - 文部科学省文部科学大臣表彰(科学技術賞・研究部門)
2015/07 - 大阪大学第4回(平成27年度)大阪大学総長顕彰(研究部門)
2014/07 - 大阪大学第3回(平成26年度)大阪大学総長顕彰(研究部門)

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所属学会 (3件)：

日本表面真空学会 , IEEE , 応用物理学会

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渡部 平司

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