研究者
J-GLOBAL ID:202001001837401898   更新日: 2024年02月16日

渡部 平司

ワタナベ ヘイジ | Watanabe Heiji
所属機関・部署:
職名: 教授
ホームページURL (1件): http://www-ade.prec.eng.osaka-u.ac.jp/index.html
競争的資金等の研究課題 (30件):
  • 2021 - 2024 炭化珪素半導体MOS界面科学と界面設計指針の再構築
  • 2021 - 2024 高Sn組成GeSn結晶創成を目指したスパッタエピタキシー法の構築
  • 2019 - 2023 界面反応制御を基軸とした高効率高信頼性GaN半導体MOSデバイスの創成
  • 2015 - 2018 局所液相エピタキシャル成長によるGeSnワイヤの形成とその光電子デバイス応用
  • 2013 - 2018 相界面反応制御技術を基軸とした混晶材料の設計と新機能発現
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論文 (948件):
  • Takuma Kobayashi, Kazuki Tomigahara, Mikito Nozaki, Takayoshi Shimura, Heiji Watanabe. Separate evaluation of interface and oxide hole traps in SiO2/GaN MOS structures with below- and above-gap light excitation. Applied Physics Express. 2023. 17. 1. 011003-011003
  • Tae-Hyeon Kil, Takuma Kobayashi, Takayoshi Shimura, Heiji Watanabe. Design of SiO2/4H-SiC MOS interfaces by sputter deposition of SiO2 followed by high-temperature CO2-post deposition annealing. AIP Advances. 2023. 13. 11. 115304-1-115304-5
  • Takuma Kobayashi, Takayoshi Shimura, Heiji Watanabe. Oxygen-vacancy defect in 4H-SiC as a near-infrared emitter: An ab initio study. Journal of Applied Physics. 2023. 134. 14. 145701-1-145701-9
  • Hidetoshi Mizobata, Mikito Nozaki, Takuma Kobayashi, Takayoshi Shimura, Heiji Watanabe. Passivation of hole traps in SiO2/GaN metal-oxide-semiconductor devices by high-density magnesium doping. Applied Physics Express. 2023. 16. 10. 105501-1-105501-4
  • Shingo Ogawa, Hidetoshi Mizobata, Takuma Kobayashi, Takayoshi Shimura, Heiji Watanabe. Interface and oxide trap states of SiO2/GaN metal-oxide-semiconductor capacitors and their effects on electrical properties evaluated by deep level transient spectroscopy. Journal of Applied Physics. 2023. 134. 9. 095704-1-095704-7
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MISC (11件):
  • 白川 裕規, 神谷 克政, 渡部 平司, 白石 賢二. 10aAS-1 SiC-MOSデバイスにおけるプロトン拡散の理論的検討(10aAS 表面界面ダイナミクス/水素ダイナミクス,領域9(表面・界面,結晶成長)). 日本物理学会講演概要集. 2014. 69. 2. 674-674
  • 細井 卓治, 東雲 秀司, 柏木 勇作, 保坂 重敏, 中村 亮太, 箕谷 周平, 中野 佑紀, 浅原 浩和, 中村 孝, 木本 恒暢, et al. AIONゲート絶縁膜導入によるSiCパワーMOSFETの高性能化及び信頼性向上 (シリコン材料・デバイス・IEDM特集(先端CMOSデバイス・プロセス技術)). 電子情報通信学会技術研究報告 : 信学技報. 2013. 112. 421. 19-22
  • 渡部 平司, 細井 卓治. High-κゲートスタック技術の進展と最新動向 (特集 世界的な競争領域にある最先端デバイス技術) -- (CMOS技術の最前線). 電子情報通信学会誌 : The Journal of the Institute of Electronics, Information and Communication Engineers. 2012. 95. 11. 960-964
  • 川村浩太, 三島永嗣, 志村考功, 渡部平司, 安武潔, 神山聡, 赤坂泰志, 奈良安雄, 中村邦雄, 山田啓作. X線反射率測定によるTiN/HfSiON界面の熱安定性評価. 精密工学会大会学術講演会講演論文集. 2006. 2006. I04
  • 三島永嗣, 川村浩太, 志村考功, 渡部平司, 安武潔, 神山聡, 赤坂泰志, 奈良安雄, 中村邦雄, 山田啓作. 熱処理に伴うHfSiOx/SiO2/Si構造の界面酸化反応のX線CTR散乱測定. 精密工学会大会学術講演会講演論文集. 2005. 2005. 0. J45-820
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特許 (21件):
  • X線位相差撮像装置
  • 単結晶状GeSn含有材料の製造方法および単結晶状GeSn含有材料基板
  • 高誘電率薄膜を用いた半導体装置の製造方法
  • 半導体装置およびその製造方法
  • 半導体装置およびその製造方法
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書籍 (1件):
  • Fundamental Aspects of Silicon Oxidation, Springer (Layer-by-Layer Oxidation of Si(001) Surfaces, pp.89-105.)
    Springer 2001
講演・口頭発表等 (76件):
  • Si 基板上 GeSn 細線のレーザー溶融結晶化における レーザー走査条件と下地 SiO2膜厚の最適化
    (第 29 回 電子デバイス界面テクノロジー研究会 2024)
  • a 面 4H-SiC MOS 界面の室温~低温 ESR/EDMR 評価
    (応用物理学会 先進パワー半導体分科会 第10回講演会 2023)
  • SiO2/GaN界面酸化ガリウム層に対する熱処理の影響
    (応用物理学会 先進パワー半導体分科会 第10回講演会 2023)
  • 量子技術応用に向けたSiC MOS界面単一光子源の制御
    (応用物理学会 先進パワー半導体分科会 第10回講演会 2023)
  • SiO2とSiCの直接貼り合わせによるSiO2/SiC構造の形成
    (応用物理学会 先進パワー半導体分科会 第10回講演会 2023)
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学歴 (2件):
  • - 1990 大阪大学 工学研究科 精密工学専攻
  • - 1988 大阪大学 工学部 精密工学科
経歴 (16件):
  • 2022/07 - 現在 日本学術振興会 学術システム研究センター 主任研究員
  • 2020/04/01 - 現在 大阪大学 工学研究科 物理学系専攻 教授
  • 2019/08 - 現在 大阪大学大学院工学研究科副研究科長
  • 2017/04 - 現在 大阪大学・栄誉教授
  • 2014/04 - 現在 大阪大学大学院工学研究科執行部(総務室長)
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受賞 (16件):
  • 2022/07 - 公益社団法人応用物理学会 第16回(2022年度) 応用物理学会フェロー表彰 半導体表面界面科学を基軸とした先端MOSデバイスの研究開発
  • 2021/08 - 公益社団法人 応用物理学会 第43回(2021年度)応用物理学会 解説論文賞
  • 2019/04 - 文部科学省 文部科学大臣表彰(科学技術賞・研究部門)
  • 2015/07 - 大阪大学 第4回(平成27年度)大阪大学総長顕彰(研究部門)
  • 2014/07 - 大阪大学 第3回(平成26年度)大阪大学総長顕彰(研究部門)
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所属学会 (3件):
日本表面真空学会 ,  IEEE ,  応用物理学会
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