研究者
J-GLOBAL ID:202001001837401898   更新日: 2021年07月01日

渡部 平司

ワタナベ ヘイジ | Watanabe Heiji
所属機関・部署:
職名: 教授
ホームページURL (1件): http://www-ade.prec.eng.osaka-u.ac.jp/index.html
競争的資金等の研究課題 (28件):
  • 2019 - 2023 界面反応制御を基軸とした高効率高信頼性GaN半導体MOSデバイスの創成
  • 2015 - 2018 局所液相エピタキシャル成長によるGeSnワイヤの形成とその光電子デバイス応用
  • 2013 - 2018 相界面反応制御技術を基軸とした混晶材料の設計と新機能発現
  • 2015 - 2017 埋め込みX線ターゲットを用いた超解像X線撮像法の実証
  • 2015 - 2017 ビーム励起界面反応によるSiC-MOS界面欠陥の崩壊と選択修復
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論文 (914件):
  • Takayoshi Shimura, Takuji Hosoi, Heiji Watanabe. Backscattering X-ray imaging using Fresnel zone aperture. Applied Physics Express. 2021. 14. 7. 072002-072002
  • Yuhei Wada, Hidetoshi Mizobata, Mikito Nozaki, Takuji Hosoi, Tetsuo Narita, Tetsu Kachi, Takayoshi Shimura, Heiji Watanabe. Inhibition of Mg activation in p-type GaN caused by thin AlGaN capping layer and impact of designing hydrogen desorption pathway. Applied Physics Express. 2021. 14. 7. 071001-071001
  • Nguyen Hoai Ngo, Kazuhiro Shimonomura, Taeko Ando, Takayoshi Shimura, Heiji Watanabe, Kohsei Takehara, Anh Quang Nguyen, Edoardo Charbon, Takeharu Goji Etoh. A Pixel Design of a Branching Ultra-Highspeed Image Sensor. Sensors. 2021. 21. 7. 2506-2506
  • 溝端 秀聡, 和田 悠平, 野崎 幹人, 細井 卓治, 志村 考功, 渡部 平司. 水素ガスアニールにより生じるSiO2/GaN界面の異常な固定電荷の起源. 2021. 195-199
  • Kidist Moges, Takuji Hosoi, Takayoshi Shimura, Heiji Watanabe. 4H-SiC CMOS inverters fabricated by ultrahigh-temperature gate oxidation and forming gas annealing. 2020
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特許 (21件):
  • X線位相差撮像装置
  • 単結晶状GeSn含有材料の製造方法および単結晶状GeSn含有材料基板
  • 高誘電率薄膜を用いた半導体装置の製造方法
  • 半導体装置およびその製造方法
  • 半導体装置およびその製造方法
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書籍 (1件):
  • Fundamental Aspects of Silicon Oxidation, Springer (Layer-by-Layer Oxidation of Si(001) Surfaces, pp.89-105.)
    Springer 2001
講演・口頭発表等 (4件):
  • A Branching Image Sensor for Sub-nanosecond Burst Imaging
    (映像情報メディア学会 情報センシング研究会(IST) 2021)
  • Super-temporal-resolution Image Sensor -- Beyond the Theoretical Highest Frame Rate of Silicon Image Sensors --
    (映像情報メディア学会 情報センシング研究会(IST) 2021)
  • Optoelectronic Integration Based on High-quality GeSn Grown by Liquid Phase Crystallization
    (International Conference on Processing & Manufacturing of Advanced Materials (Thermec’2021) 2021)
  • Control of SiO2/SiC Interface for SiC-based Power MOSFET
    (International Conference on Processing & Manufacturing of Advanced Materials (Thermec’2021) 2021)
学歴 (2件):
  • - 1990 大阪大学 精密工学専攻
  • - 1988 大阪大学 精密工学科
経歴 (15件):
  • 2020/04/01 - 現在 大阪大学 工学研究科 物理学系専攻 教授
  • 2019/08 - 現在 大阪大学大学院工学研究科副研究科長
  • 2017/04 - 現在 大阪大学・栄誉教授
  • 2014/04 - 現在 大阪大学大学院工学研究科執行部(総務室長)
  • 2006/11 - 現在 大阪大学大学院工学研究科生命先端工学専攻 教授
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受賞 (17件):
  • 2019/04 - 文部科学省 文部科学大臣表彰(科学技術賞・研究部門)
  • 2016/09 - 公益社団法人 応用物理学会 第8回(2016年秋季)応用物理学会 Poster Award
  • 2016/03 - 応用物理学会 第7回(2016年春季)応用物理学会 Poster Award
  • 2015/07 - 大阪大学 第4回(平成27年度)大阪大学総長顕彰(研究部門)
  • 2014/07 - 大阪大学 第3回(平成26年度)大阪大学総長顕彰(研究部門)
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所属学会 (3件):
日本表面真空学会 ,  IEEE ,  応用物理学会
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