研究者
J-GLOBAL ID:202001006083720411   更新日: 2024年12月18日

毎田 修

マイダ オサム | Maida Osamu
所属機関・部署:
職名: 助教
競争的資金等の研究課題 (26件):
  • 2022 - 2025 非輻射型欠陥生成機構の解明によるダイヤモンド半導体デバイスの特性改善
  • 2023 - 2024 ヘテロエピタキシャル法による様々な面方位を持つダイヤモンド結晶成長の研究
  • 2023 - 2024 ダイヤモンド半導体結晶の非輻射欠陥生成機構の解明とデバイス特性改善
  • 2022 - 2023 ヘテロエピタキシャル法による様々な面方位を持つダイヤモンド結晶成長の研究
  • 2022 - 2023 ダイヤモンド半導体結晶の不純物導入技術の確立とデバイス特性の改善
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論文 (101件):
  • Yuki OKABE, Daisuke KANEMOTO, Osamu MAIDA, Tetsuya HIROSE. Compressed Sensing EEG Measurement Technique with Normally Distributed Sampling Series. IEICE Transactions on Fundamentals of Electronics, Communications and Computer Sciences. 2022. E105.A. 10. 1429-1433
  • Yuuki HARADA, Daisuke KANEMOTO, Takahiro INOUE, Osamu MAIDA, Tetsuya HIROSE. Image Quality Improvement for Capsule Endoscopy Based on Compressed Sensing with K-SVD Dictionary Learning. IEICE Transactions on Fundamentals of Electronics, Communications and Computer Sciences. 2022. E105.A. 4. 743-747
  • Osamu Maida, Daiskuke Kanemoto, Tetsuya Hirose. Characterization of deep interface states in SiO2/B-doped diamond using the transient photocapacitance method. Thin Solid Films. 2022. 741. 139026-139026
  • Hikaru Sebe, Kaori Matsumoto, Ryo Matsuzuka, Osamu Maida, Daisuke Kanemoto, Tetsuya Hirose. A self-bias NAND gate and its application to non-overlapping clock generator for extremely low-voltage CMOS LSIs. Japanese Journal of Applied Physics. 2021. 60. SB. SBBL06-SBBL06
  • Masaya Nishi, Kaori Matsumoto, Nobutaka Kuroki, Masahiro Numa, Hikaru Sebe, Ryo Matsuzuka, Osamu Maida, Daisuke Kanemoto, Tetsuya Hirose. A 35-mV supply ring oscillator consisting of stacked body bias inverters for extremely low-voltage LSIs. IEICE ELECTRONICS EXPRESS. 2021. 18. 6
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MISC (2件):
  • Osamu Maida, Asako Okafuji, Katsutoshi Kobayashi, Hikaru Kobayashi. Fabrication of the a-Si solar cells with the light trapping structure by the Al 2O 3 fine particles. Shinku/Journal of the Vacuum Society of Japan. 2007. 50. 8. 534-536
  • S Kitai, O Maida, T Kanashima, M Okuyama. Preparation and characterization of high-k praseodymium and lanthanoid oxide thin films prepared by pulsed laser deposition. JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS PART 1-REGULAR PAPERS SHORT NOTES & REVIEW PAPERS. 2003. 42. 1. 247-253
講演・口頭発表等 (49件):
  • 直接遷移型半導体自立結晶における外部量子効率と自己吸収の関係
    (第70回応用物理学会春季学術講演会 2023)
  • スパッタアニールAlNテンプレート上AlGaN薄膜の局在発光特性の評価
    (2023)
  • 時間分解二光子光電子分光法によるInGaN (0001)の表面キャリア寿命測定
    (第70回応用物理学会春季学術講演会 2023)
  • ナノピラー型メタ表面を用いた円偏光InGaN発光素子の設計
    (第70回応用物理学会春季学術講演会 2023)
  • 二光子光電子分光による GaAs (110) における表面再結合寿命の評価
    (第42回ナノテスティングシンポジウム 2022)
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経歴 (5件):
  • 2007/04/01 - 現在 大阪大学 工学研究科 電気電子情報工学専攻 助教
  • 2006/04 - 現在 大阪大学・大学院工学研究科・助手
  • 2006/04/01 - 2007/03/31 大阪大学 工学研究科 電気電子情報工学専攻 助手
  • 2000/10/01 - 2006/03/31 大阪大学 産業科学研究所 助手
  • 2000/10 - 2006/03 大阪大学・産業科学研究所・助手
所属学会 (3件):
日本放射光学会 ,  応用物理学会 ,  日本物理学会
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