入沢寿史

イリサワトシフミ | Irisawa Toshifumi

所属機関・部署：
職名：主任研究員

研究分野 (4件)：電子デバイス、電子機器 , 電気電子材料工学 , 結晶工学 , ナノ材料科学

競争的資金等の研究課題 (2件)：

論文 (131件)：

Mitsuhiro Okada, Yuki Okigawa, Takeshi Fujii, Takahiko Endo, Wen Hsin Chang, Naoya Okada, Toshifumi Irisawa, Yasumitsu Miyata, Tetsuo Shimizu, Toshitaka Kubo, et al. Characterization of band alignment at a metal-MoS2 interface by Kelvin probe force microscopy. Japanese Journal of Applied Physics. 2024
Shota Nunomura, Hiroyuki Ota, Toshifumi Irisawa, Kazuhiko Endo, Yukinori Morita. Defect generation and recovery in high-k HfO2/SiO2/Si stack fabrication. Applied Physics Express. 2023
Wen Hsin Chang, Shogo Hatayama, Yuta Saito, Naoya Okada, Takahiko Endo, Yasumitsu Miyata, Toshifumi Irisawa. Sb2Te3/MoS2 Van der Waals Junctions with High Thermal Stability and Low Contact Resistance. Advanced Electronic Materials. 2023. 9. 4
Jiang Pu, Hao Ou, Tomoyuki Yamada, Naoki Wada, Hibiki Naito, Hiroto Ogura, Takahiko Endo, Zheng Liu, Toshifumi Irisawa, Kazuhiro Yanagi, et al. Continuous color-tunable light-emitting devices based on compositionally graded monolayer transition metal dichalcogenide alloys. Advanced Materials. 2022. 2203250-2203250
Mitsuhiro Okada, Jiang Pu, Yung-Chang Lin, Takahiko Endo, Naoya Okada, Wen-Hsin Chang, Anh Khoa Augustin Lu, Takeshi Nakanishi, Tetsuo Shimizu, Toshitaka Kubo, et al. Large-Scale 1T′-Phase Tungsten Disulfide Atomic Layers Grown by Gas-Source Chemical Vapor Deposition. ACS Nano. 2022

MISC (2件)：

大内真一, 柳永勛, 堀洋平, 入沢寿史, 更田裕司, 森田行則, 右田真司, 森貴洋, 中川格, 塚田順一, et al. 招待講演多結晶シリコンFinFETを用いたSRAM PUFとその性能評価 (シリコン材料・デバイス). 電子情報通信学会技術研究報告 = IEICE technical report : 信学技報. 2016. 116. 172. 83-87
沼田敏典, 入沢寿史, 手塚勉, 古賀淳二, 平下紀夫, 臼田宏治, 豊田英二, 宮村佳児, 田邊顕人, 杉山直治, et al. 高性能・微細ひずみSOI-MOSFET. 電気学会研究会資料. EDD, 電子デバイス研究会. 2005. 2005. 37. 29-33

学歴 (2件)：

経歴 (2件)：

所属学会 (2件)：

応用物理学会 , IEEE EDS

※　J-GLOBALの研究者情報は、researchmapの登録情報に基づき表示しています。登録・更新については、こちらをご覧ください。

入沢 寿史