研究者
J-GLOBAL ID：202001017616880140   更新日: 2024年07月17日

洗平 昌晃

アライダイ マサアキ | Araidai Masaaki
所属機関・部署：
名古屋大学 未来材料・システム研究所 附属未来エレクトロニクス集積研究センター マルチフィジックスシミュレーション部

名古屋大学 未来材料・システム研究所 附属未来エレクトロニクス集積研究センター マルチフィジックスシミュレーション部 について


職名： 助教
その他の所属（所属・部署名・職名） (2件)：
競争的資金等の研究課題 (19件)：
  • 2022 - 2025 機械学習ポテンシャルによる協奏的現象の速度論解析
  • 2019 - 2023 Si-Ge系スーパーアトムの内部ポテンシャル変調による量子機能材料創成
  • 2020 - 2022 シリコン酸化膜に覆われたゲルマネンを用いた超高速エレクトロニクスの開発
  • 2019 - 2022 実環境下の損傷敏感試料に微細領域の動態観測技術をもたらす半導体電子ビーム源
  • 2018 - 2022 量子論コンピューティクスによるパワー半導体界面形成機構と電子物性の解明
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論文 (95件)：
  • Yuto Hasuo, Takahiro Urata, Masaaki Araidai, Yuji Tsuchiya, Satoshi Awaji, Hiroshi Ikuta. Single Crystal Growth and Transport Properties of van der Waals Materials ABTe4 (A/B = Ti, Zr, Hf). Journal of the Physical Society of Japan. 2024. 93. 1
  • Hiroshi Kamimura, Masaaki Araidai, Kunio Ishida, Shunichi Matsuno, Hideaki Sakata, Kenji Sasaoka, Kenji Shiraishi, Osamu Sugino, Jaw-Shen Tsai, Kazuyoshi Yamada. Elucidation of Spin-Correlations, Fermi Surface and Pseudogap in a Copper Oxide Superconductor. Condensed Matter. 2023. 8. 2. 33-33
  • Yoshiki Ohata, Masaaki Araidai, Takuma Ishiguro, Hiroyuki Mitsuya, Hiroshi Toshiyoshi, Yasushi Shibata, Gen Hashiguchi, Kenji Shiraishi. Effect of hydrogen atoms on potassium-ion electrets used in vibration-powered generators. MATERIALS SCIENCE IN SEMICONDUCTOR PROCESSING. 2023. 157
  • Keisuke Morishita, Yosuke Harashima, Masaaki Araidai, Tetsuo Endoh, Kenji Shiraishi. Effect of MgO Grain Boundaries on the Interfacial Perpendicular Magnetic Anisotropy in Spin-Transfer Torque Magnetic Random Access Memory: A First-Principles Study. IEEE Transactions on Magnetics. 2023. 59. 4. 1-6
  • Yutaro Ogawa, Masaaki Araidai, Tetsuo Endoh, Kenji Shiraishi. Effect of interfacial nitrogen defects on tunnel magnetoresistance in an Fe/MgO/Fe magnetic tunnel junction. Journal of Applied Physics. 2022. 132. 21. 213904-213904
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MISC (17件)：
  • 白川裕規, 洗平昌晃, 神谷克政, 白石賢二. MONOS型メモリにおける絶縁膜中の原子欠陥に関する第一原理計算. 応用物理学会春季学術講演会講演予稿集(CD-ROM). 2015. 62nd
  • 洗平 昌晃, 山本 貴博, 白石 賢二. 磁気抵抗メモリにおける電子散乱過程の第一原理シミュレーション (電子デバイス). 電子情報通信学会技術研究報告 = IEICE technical report : 信学技報. 2014. 114. 56. 47-50
  • 洗平 昌晃, 加藤 重徳, 山本 貴博, 白石 賢二. 28pPSA-35 GeSbTe相変化メモリ素子の電気伝導特性におけるスピン軌道相互作用の効果(28pPSA 領域9ポスターセッション,領域9(表面・界面・結晶成長)). 日本物理学会講演概要集. 2014. 69. 1. 886-886
  • 洗平 昌晃, 山本 貴博, 白石 賢二. 26pPSA-11 磁気抵抗メモリの電流誘起磁化スイッチングに関する第一原理計算(領域4ポスターセッション,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在)). 日本物理学会講演概要集. 2013. 68. 2. 621-621
  • 洗平 昌晃, 加藤 重徳, 山本 貴博, 白石 賢二. 26pPSA-22 第一原理計算による相変化メモリデバイスの構造同定と電気伝導特性(26pPSA 領域9ポスターセッション,領域9(表面・界面,結晶成長)). 日本物理学会講演概要集. 2013. 68. 1. 975-975
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講演・口頭発表等 (71件)：
  • 熱処理によるAl/Ge(111)上の極薄Ge層形成
    (電子情報通信学会 2019)
  • 超格子GeTe/Sb2Te3メモリの第一原理計算による構造変化シミュレーション
    (電子情報通信学会 2019)
  • Si/SiO<sub>2</sub>界面のニューラルネットワークポテンシャルの開発
    (日本物理学会 2018)
  • Ag(111)表面上に偏析したGe原子が形成する二次元構造
    (日本物理学会 2018)
  • IV族単原子層ナノリボンへの電解効果とリボン幅依存性
    (日本物理学会 2018)
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学歴 (3件)：
  • 2004 - 2007 東京理科大学 理学研究科 物理学専攻
  • 2002 - 2004 東京理科大学 理学研究科 物理学専攻
  • 1998 - 2002 東京理科大学 理学部 物理学科
学位 (1件)：
  • 博士(理学) (東京理科大学)
経歴 (5件)：
  • 2015/10/01 - 現在 未来材料・システム研究所 附属未来エレクトロニクス集積研究センター 助教
  • 2013/08/01 - 2015/09/30 名古屋大学 大学院工学研究科 量子工学専攻 助教
  • 2012/08/01 - 2013/07/31 筑波大学 計算科学研究センター 研究員
  • 2009/04/01 - 2012/07/31 東北大学 原子分子材料科学高等研究機構 産学官連携研究員
  • 2007/11/01 - 2009/03/31 早稲田大学 ナノ理工学研究機構 客員講師(専任扱い)
委員歴 (3件)：
  • 2018/12 - 2020/03 日本物理学会第75回年次大会実行委員会 市民科学講演会担当
  • 2018/11 - 2019/12 EXECUTIVE COMMITTEE of ICMASS2019 Web担当
  • 2016/06 - 2017/12 EXECUTIVE COMMITTEE of ICMASS2017 Award担当
受賞 (4件)：
  • 2018/11/14 - 31st International Microprocesses and Nanotechnology Conference Organizing Committee MNC 2017 Award for Outstanding Paper Growth of Two-Dimensional Ge Crystal by Annealing of Heteroepitaxial Ag/Ge(111) under N<sub>2</sub> Ambient
  • 2016/09/07 - 公益社団法人 日本磁気学会 日本磁気学会論文賞 Theoretical Investigation on Electronic and Magnetic Structures of FeRh
  • 2015/11/04 - Organizing Committee of 2015 International Workshop on DIELECTRIC THIN FILMS FOR FUTURE ELECTRON DEVICES -SCIENCE AND TECHNOLOGY- IWDTF Young Paper Award Evaluation of Energy Band Structure of Si<sub>1-x</sub>Sn<sub>x</sub> by Density Functional Theory Calculation and Photoelectron Spectroscopy
  • 2015/03/12 - 公益社団法人 応用物理学会 2015年応用物理学会春季学術講演会Poster Award First principles stucy on atomic defects in insulators of MONOS memory
所属学会 (4件)：
日本表面科学会 ,  日本磁気学会 ,  応用物理学会 ,  日本物理学会
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