研究者
J-GLOBAL ID：202001018867170637
更新日: 2023年04月17日
三浦 貞彦
ミウラ サダヒコ | miura sadahiko
所属機関・部署：
職名：
シニアエキスパート
競争的資金等の研究課題 (1件)：
- 2018 - 2021 垂直磁気トンネル接合における困難軸特性モデルの構築とセンサー応用
論文 (100件)：
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H. Honjo, K. Nishioka, S. Miura, H. Naganuma, T. Watanabe, T. Nasuno, T. Tanigawa, Y. Noguchi, H. Inoue, M. Yasuhira, et al. 25 nm iPMA-type Hexa-MTJ with solder reflow capability and endurance>107 for eFlash-type MRAM. IEEE International electron devices meeting. 2022. 226-229
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Hiroki Koike, Takaho Tanigawa, Toshinari Watanabe, Takashi Nasuno, Yasuo Noguchi, Mitsuo Yasuhira, Toru Yoshiduka, Yitao Ma, Hiroaki Honjo, Koichi Nishioka, et al. 40 nm 1T-1MTJ 128 Mb STT-MRAM With Novel Averaged Reference Voltage Generator Based on Detailed Analysis of Scaled-Down Memory Cell Array Design. IEEE TRANSACTIONS ON MAGNETICS. 2021. 57. 3
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H. Naganuma, S. Miura, H. Honjo, K. Nishioka, T. Watanabe, T. Nasuno, H. Inoue, T. V.A. Nguyen, Y. Endo, Y. Noguchi, et al. Advanced 18 nm Quad-MTJ technology overcomes dilemma of Retention and Endurance under Scaling beyond 2X nm. Digest of Technical Papers - Symposium on VLSI Technology. 2021. 2021-June
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K. Nishioka, S. Miura, H. Honjo, H. Naganuma, T. V. A. Nguyen, T. Watanabe, S. Ikeda, T. Endoh. Effect of Magnetic Coupling Between Two CoFeB Layers on Thermal Stability in Perpendicular Magnetic Tunnel Junctions with MgO/CoFeB/Insertion Layer/CoFeB/MgO Free Layer. IEEE Transactions on Magnetics. 2021. 1-1
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H. Honjo, K. Nishioka, S. Miura, H. Naganuma, T. Watanabe, Y. Noguchi, T. V. A. Nguyen, M. Yasuhira, S. Ikeda, T. Endoh. Perpendicular Magnetic Tunnel Junctions with Four Anti-ferromagnetically Coupled Co/Pt Pinning Layers. IEEE Transactions on Magnetics. 2021. 1-1
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MISC (17件)：
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崎村 昇, 辻 幸秀, 根橋 竜介, 本庄 弘明, 森岡 あゆ香, 石原 邦彦, 木下 啓藏, 深見 俊輔, 三浦 貞彦, 笠井 直記, et al. 招待講演 待機電力重視アプリケーション向け90nm三端子MRAM混載不揮発マイクロコントローラ (集積回路). 電子情報通信学会技術研究報告 = IEICE technical report : 信学技報. 2014. 114. 175. 39-44
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崎村 昇, 辻 幸秀, 根橋 竜介, 本庄 弘明, 森岡 あゆ香, 石原 邦彦, 木下 啓藏, 深見 俊輔, 三浦 貞彦, 笠井 直記, et al. 招待講演 待機電力重視アプリケーション向け90nm三端子MRAM混載不揮発マイクロコントローラ (シリコン材料・デバイス). 電子情報通信学会技術研究報告 = IEICE technical report : 信学技報. 2014. 114. 174. 39-44
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大澤 隆, 小池 洋紀, 三浦 貞彦, 木下 啓蔵, 本庄 弘明, 池田 正二, 羽生 貴弘, 大野 英男, 遠藤 哲郎. 依頼講演 1.5ns/2.1nsのランダム読出/書込サイクル時間を達成した不揮発性混載メモリ用1Mb STT-MRAM : 6T2MTJセルにバックグラウンド書き込み(BGW)方式を適用 (集積回路). 電子情報通信学会技術研究報告 = IEICE technical report : 信学技報. 2014. 114. 13. 33-38
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小池 洋紀, 崎村 昇, 根橋 竜介, 辻 幸秀, 森岡 あゆ香, 三浦 貞彦, 本庄 弘明, 杉林 直彦, 大澤 隆, 池田 正二, et al. 依頼講演 MTJベース不揮発フリップフロップを用いた3μsec-Entry/Exit遅延時間のマイクロプロセッサ (集積回路). 電子情報通信学会技術研究報告 = IEICE technical report : 信学技報. 2014. 114. 13. 85-90
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松永 翔雲, 三浦 貞彦, 本庄 弘明, 木下 啓蔵, 池田 正二, 遠藤 哲郎, 大野 英男, 羽生 貴弘. 依頼講演 4T-2MTJセル構造に基づく不揮発TCAMチップの実現 (集積回路). 電子情報通信学会技術研究報告 : 信学技報. 2013. 113. 1. 33-38
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学歴 (3件)：
- 2000 - 早稲田大学 大学院理工学研究科 物理及び応用物理専攻(博士)
- 1984 - 1986 早稲田大学 大学院理工学研究科 物理及び応用物理専攻(修士)
- 1980 - 1984 早稲田大学 理工学部 応用物理学科
学位 (1件)：
経歴 (4件)：
- 2023/02 - 現在 ナノブリッジ・セミコンダクター(株) 開発製造部 シニアエキスパート
- 2011/04 - 2023/01 東北大学
- 1986/04 - 2022/09 日本電気株式会社
- 1995/07 - 1998/04 超電導工学研究所
委員歴 (2件)：
- 2012/04 - 2014/03 応用物理学会 機関紙編集委員
- 2009/08 - 2011/07 国際固体素子・材料コンファレンス(SSDM) エリア2 (メモリ)編集委員
所属学会 (1件)：
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