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J-GLOBAL ID：202002210030822645   整理番号：20A2223014

ビスマスの室温における小さい交差磁場による線形磁気抵抗の観測【JST・京大機械翻訳】

Observation of linear magneto-resistance with small cross-over field at room temperature in bismuth

著者 (7件)： Chandan (Department of Physics, Bangalore University, Gnana Bharathi, Bangalore, 560056 India) ,  Chandan (Department of Physics, Indian Institute of Science, Bangalore, 560012 India) ,  Islam Saurav (Department of Physics, Indian Institute of Science, Bangalore, 560012 India) ,  Venkataraman V (Department of Physics, Indian Institute of Science, Bangalore, 560012 India) ,  Ghosh Arindam (Department of Physics, Indian Institute of Science, Bangalore, 560012 India) ,  Ghosh Arindam (Center for Nano Science and Engineering, Indian Institute of Science, Bangalore, 560012 India) ,  Angadi Basavaraj (Department of Physics, Bangalore University, Gnana Bharathi, Bangalore, 560056 India)
資料名： Journal of Physics. D. Applied Physics  (Journal of Physics. D. Applied Physics)
巻： 53  号： 42  ページ： 425102 (5pp)  発行年： 2020年 
JST資料番号： B0092B  ISSN： 0022-3727  CODEN： JPAPBE  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 熱蒸着を用いて作製したビスマス(110)薄膜において,室温で非常に低い交差磁場(B_c)を有する線形磁気抵抗(LMR)の観察を報告した。異なる温度(T)での磁気抵抗は,B_cが強いT依存性を持ち,T=300Kで180mTの著しく小さい大きさを示す。MR%(B=1T)/B_cとして定義されるパラメータΦは,文献で以前に報告された値と比較して,室温でかなり高かった。観測されたLMRは,電荷中性近くの補償系におけるキャリアの再結合によると思われる。著者らの測定は,LMRが非常に低い磁場と高いTで観測でき,様々な応用に利用できることを示した。Please refer to the publisher for the copyright holders. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： 再結合 ,  *磁場 ,  *磁気抵抗 ,  真空蒸着 ,  電荷 ,  薄膜 ,  *ビスマス ,  温度依存性 ,  線形性

分類 (2件)： 酸化物結晶の磁性  (BM06050E) ,  金属結晶の磁性  (BM06040T)

タイトルに関連する用語 (7件)： ビスマス ,  室温 ,  交差 ,  磁場 ,  線形 ,  磁気抵抗 ,  観測