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J-GLOBAL ID：202002210061760270   整理番号：20A0789642

Ni/p-GaNからの光電子放出に対する表面光起電力の影響【JST・京大機械翻訳】

Impact of surface photovoltage on photoemission from Ni/p-GaN

著者 (3件)： Grodzicki M. (Institute of Experimental Physics, University of Wroclaw, pl. M. Borna 9, 50-204 Wroclaw, Poland) ,  Mazur P. (Institute of Experimental Physics, University of Wroclaw, pl. M. Borna 9, 50-204 Wroclaw, Poland) ,  Sabik A. (Institute of Experimental Physics, University of Wroclaw, pl. M. Borna 9, 50-204 Wroclaw, Poland)
資料名： Applied Surface Science  (Applied Surface Science)
巻： 512  ページ： Null  発行年： 2020年 
JST資料番号： B0707B  ISSN： 0169-4332  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 光電子分光法に集中したp-GaN上のNi膜の表面研究を示した。励起源によって引き起こされる表面光起電力(SPV)効果が電子エネルギー分析器のFermi準位上に位置する準Fermi準位の出現をもたらす表面条件を見出した。これにより,コアレベル線のエネルギーシフトも認められた。これはメタ/半導体系に対して,観測されたピークのいくつかのエネルギーシフトは化学反応の結果ではなく,SPV効果を通して行われる可能性があることを意味する。界面の形成とその物理化学的および構造的解析を超高真空下でその場実施した。Ni膜をMgドープGaN,(0001)配向上に蒸着した。X線と紫外線光源を光電子放出実験に適用した。低エネルギー電子回折法を用いて表面構造を調べた。Copyright 2020 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： 光電子分光法 ,  分析機器 ,  *ニッケル ,  界面 ,  超高真空 ,  *光電子放出 ,  表面構造 ,  マグネシウム ,  *窒化ガリウム ,  半導体 ,  低速電子回折 ,  励起 ,  化学反応 ,  ドーピング ,  Fermi準位

著者キーワード (3件)： Ni/GaN界面 ,  光電子分光法 ,  表面光起電力

分類 (2件)： 光伝導,光起電力  (BM03050J) ,  電子分光スペクトル  (BM09060K)

タイトルに関連する用語 (4件)： Ni ,  GaN ,  光電子放出 ,  表面光起電力