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J-GLOBAL ID：202002210089610728   整理番号：20A1437424

トップMgO障壁厚みに依存する二重ピン止め垂直磁気トンネル接合スピンバルブのマルチレベル抵抗均一性【JST・京大機械翻訳】

Multi-level resistance uniformity of double pinned perpendicular magnetic-tunnel-junction spin-valve depending on top MgO barrier thickness

著者 (8件)： Jun Han-Sol (MRAM Center, Department of Nanoscale Semiconductor Engineering, Hanyang University, Seoul 04763, South Korea) ,  Choi Jin-Young (MRAM Center, Department of Electronics and Computer Engineering, Hanyang University, Seoul 04763, South Korea) ,  Ashiba Kei (MRAM Center, Department of Electronics and Computer Engineering, Hanyang University, Seoul 04763, South Korea) ,  Jung Sun-Hwa (MRAM Center, Department of Nanoscale Semiconductor Engineering, Hanyang University, Seoul 04763, South Korea) ,  Park Miri (MRAM Center, Department of Electronics and Computer Engineering, Hanyang University, Seoul 04763, South Korea) ,  Baek Jong-Ung (MRAM Center, Department of Nanoscale Semiconductor Engineering, Hanyang University, Seoul 04763, South Korea) ,  Shim Tae-Hun (MRAM Center, Department of Electronics and Computer Engineering, Hanyang University, Seoul 04763, South Korea) ,  Park Jea-Gun (MRAM Center, Department of Nanoscale Semiconductor Engineering, Hanyang University, Seoul 04763, South Korea)
資料名： AIP Advances (Web)  (AIP Advances (Web))
巻： 10  号： 6  ページ： 065126-065126-7  発行年： 2020年 
JST資料番号： U7121A  ISSN： 2158-3226  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： ストレージクラスメモリとして,垂直スピントルク転送磁気ランダムアクセスメモリ(p-STT MRAM)を利用するために,p-STT MRAMの統合密度を増加させるのに,マルチレベルセル(MLC)動作を実行する達成が重要である。MLC(すなわち4抵抗レベル)動作を行う二重ピン止め垂直磁気トンネル接合スピンバルブに対して,4レベル抵抗間の抵抗差の均一性を理論的および実験的に調べた。4レベル抵抗間の抵抗差の均一性は,トップMgOトンネル障壁厚さに強く依存した。特に,4つの抵抗状態の間の最も均一な抵抗差を,臨界トップ-MgOトンネル厚さ(すなわち~1.15nm)で達成できた。Copyright 2020 AIP Publishing LLC All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： 記憶装置 ,  *酸化マグネシウム ,  臨界 ,  *ピン止め
準シソーラス用語： *スピンバルブ ,  *磁気トンネル接合 ,  トンネル障壁 ,  *マルチレベル ,  スピントルク ,  ストレージ装置 , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (2件)： 半導体集積回路  (NC03162T) ,  磁電デバイス  (NC03100X)

タイトルに関連する用語 (10件)： トップ ,  MgO ,  障壁 ,  厚み ,  ピン止め ,  垂直 ,  磁気トンネル接合 ,  スピンバルブ ,  マルチレベル ,  均一性