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J-GLOBAL ID：202002210179369712   整理番号：20A0783803

高周波マグネトロンスパッタリングによるSi上のCu_2zn_4薄膜のエピタキシャル成長【JST・京大機械翻訳】

Epitaxial growth of Cu₂ZnSnS₄ thin film on Si by radio frequency magnetron sputtering

著者 (6件)： Song Ning (School of Photovoltaic and Renewable Energy Engineering, UNSW Sydney, Sydney, NSW 2052, Australia) ,  Green Martin A. (School of Photovoltaic and Renewable Energy Engineering, UNSW Sydney, Sydney, NSW 2052, Australia) ,  Sun Kaiwen (School of Photovoltaic and Renewable Energy Engineering, UNSW Sydney, Sydney, NSW 2052, Australia) ,  Hu Yicong (School of Photovoltaic and Renewable Energy Engineering, UNSW Sydney, Sydney, NSW 2052, Australia) ,  Yan Chang (School of Photovoltaic and Renewable Energy Engineering, UNSW Sydney, Sydney, NSW 2052, Australia) ,  Hao Xiaojing (School of Photovoltaic and Renewable Energy Engineering, UNSW Sydney, Sydney, NSW 2052, Australia)
資料名： Applied Physics Letters  (Applied Physics Letters)
巻： 116  号： 12  ページ： 123901-123901-5  発行年： 2020年 
JST資料番号： H0613A  ISSN： 0003-6951  CODEN： APPLAB  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 環境に優しく,豊富なCu_2ZnSnS_4(CZTS)ベース薄膜は次世代光起電力用の潜在的吸収体である。それらの光学的性質は,Siベースのタンデム太陽電池のための上部セルとして用いられるオプションを提供し,Siと同様の構造と共に,CZTS/Siタンデム電池の研究に興味を引き起こす。しかし,Si上のエピタキシャル成長CZTSは困難である。ここでは,単一ターゲットからの簡単で低コストの高周波マグネトロンスパッタリングにより4°ミスカットした単結晶立方晶Si(111)ウエハ上に正方晶Cu_2ZnSnS_4(CZTS)薄膜をヘテロエピタキシャル成長させた。CZTS膜は表面粗さが8.46nmの鏡面状表面を示した。エピタキシャルCZTSの吸収係数は1.5eVで10~4cm-1以上,2.1eVで1.0×10~5cm-1以上であった。バンドギャップは1.45eVであり,光ルミネセンス寿命は7.04nsである。この結果は,CZTS/Siベースのタンデム太陽電池への応用のために,Si基板上にスパッタリングにより作製したエピタキシャルCZTS膜の可能性を実証した。Copyright 2020 AIP Publishing LLC All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： 光学的性質 ,  *薄膜 ,  単結晶 ,  正方晶系 ,  電池 ,  吸収体 ,  吸収係数 ,  光ルミネセンス ,  *ケイ素 ,  直列接続 ,  *エピタクシー ,  立方晶系 ,  バンドギャップ ,  光起電力
準シソーラス用語： CZTS , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (2件)： 酸化物薄膜  (BK14050P) ,  その他の無機化合物の薄膜  (BK14060A)

タイトルに関連する用語 (4件)： 高周波マグネトロンスパッタリング ,  Si ,  薄膜 ,  エピタキシャル成長