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J-GLOBAL ID：202002210180995588   整理番号：20A0886471

テラヘルツ応用のためのグラフェンに基づくプラズマ波デバイス【JST・京大機械翻訳】

Graphene based plasma-wave devices for terahertz applications

著者 (3件)： Ryzhii V. (Research Institute of Electrical Communication, Tohoku University, Sendai 980-8577, Japan) ,  Otsuji T. (Research Institute of Electrical Communication, Tohoku University, Sendai 980-8577, Japan) ,  Shur M. (Department of Electrical, Computer, and Systems Engineering and Department of Physics, Applied Physics, and Astronomy, Rensselaer Polytechnic Institute, Troy, New York 12180, USA)
資料名： Applied Physics Letters  (Applied Physics Letters)
巻： 116  号： 14  ページ： 140501-140501-6  発行年： 2020年 
JST資料番号： H0613A  ISSN： 0003-6951  CODEN： APPLAB  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： グラフェンのユニークな性質を組み合わせて,テラヘルツ(THz)電子技術を革命させることができるグラフェンプラズモンデバイスを可能にした。キャリア移動度の高い値は共鳴プラズマ波を励起できる。グラフェンバイポーラ性はプラズマ波励起の異なる機構を可能にする。グラフェン二分子層と多層構造により,THz素子構成の改善が可能になった。h-BN,黒色リン,および他の材料系を有する高品質ヘテロ構造を形成するグラフェンの能力は,グラフェンおよび他の新興材料の最良の特性から成る先進的なヘテロ構造デバイスを支持する。特に,グラフェン中の電子-正孔プラズマを冷却するための黒リン化合物を用いることにより,THzレーザ発振の条件を劇的に改善することができた。高い光学フォノンエネルギーは,グラフェンにおける高いシートキャリア密度によって支持される高いプラズマ周波数に到達することを可能にする。グラフェンTHzプラズモニクスとグラフェンプラズモンデバイス設計のデバイス物理のより良い理解と組み合わせたグラフェン技術の最近の改良は,グラフェンTHzプラズモン技術を重要なグラフェン応用の一つにすることを約束する。プラズモングラフェン技術の商業化は,他のグラフェン応用と同じ課題に直面しており,均一な大きなグラフェン層,二分子層,および高品質のヘテロ構造を作り,良好な低抵抗安定Ohm接触を作ることが困難である。大規模グラフェン電子デバイス応用のための時間投影は,現在,2030秒に広がっている。しかし,新興のグラフェン大量生産技術は,グラフェンプラズモンテラヘルツ技術の商業的応用をもたらす可能性がある。Copyright 2020 AIP Publishing LLC All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： プラズモン ,  多層構造 ,  電子技術 ,  *プラズマ ,  *テラヘルツ波 ,  リン ,  レーザ発振 ,  キャリア移動度 ,  大量生産 ,  共鳴 ,  正孔 ,  二分子層 ,  *グラフェン ,  キャリア密度 ,  励起

分類 (2件)： 炭素とその化合物  (YB02060D) ,  その他の無機化合物の薄膜  (BK14060A)

タイトルに関連する用語 (4件)： テラヘルツ ,  応用 ,  グラフェン ,  プラズマ波