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J-GLOBAL ID：202002210222345271   整理番号：20A1516610

「荷電不純物の場におけるギャップのある擬スピン1フェルミオンに対する電子状態」に対するコメント【JST・京大機械翻訳】

Comment on “Electron states for gapped pseudospin-1 fermions in the field of a charged impurity”

著者 (1件)： Van Pottelberge R. (Departement Fysica, Universiteit Antwerpen, Groenenborgerlaan 171, B-2020 Antwerpen, Belgium)
資料名： Physical Review. B  (Physical Review. B)
巻： 101  号： 19  ページ： 197102  発行年： 2020年 
JST資料番号： D0746A  ISSN： 2469-9950  CODEN： PRBMDO  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 最近の論文では,[数式:原文を参照]格子により生成されたギャップ擬スピン-1系において,正則化Coulomb電荷のスペクトルを研究した。不純物強度[数式:原文を参照]の関数として電子スペクトルを調べた。しかし,不純物強度の関数としてのフラットバンド状態の挙動に関する結果と結論は不完全である。このコメントでは,フラットバンドの分散のない性質のため,状態は荷電不純物の影響下で広がり,連続バンドを形成する。Iは,連続状態の出現を示す陽的数値計算との議論を支持した。Copyright 2020 The American Physical Society All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： 数値計算 ,  電荷 ,  *不純物 ,  *フェルミオン ,  スペクトル ,  正則化 ,  電子スペクトル ,  *電子状態
準シソーラス用語： フラットバンド ,  *荷電不純物 , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (2件)： 超伝導体の物性一般  (BM04021A) ,  不純物・欠陥の電子構造  (BM02100I)

引用文献 (1件)：

• Phys. Rev. B 99, 155124 (2019)

タイトルに関連する用語 (7件)： 荷電不純物 ,  場 ,  ギャップ ,  擬スピン ,  フェルミオン ,  電子状態 ,  コメント