文献

J-GLOBAL ID：202002210300276528   整理番号：20A1962531

単分子層MoS_2へのNO_2吸着の計算研究【JST・京大機械翻訳】

Computational Study of the Adsorption of NO₂ on Monolayer MoS₂

著者 (1件)： Bermudez V. M. (Electronics Science and Technology Division, Naval Research Laboratory, D.C., United States)
資料名： Journal of Physical Chemistry C  (Journal of Physical Chemistry C)
巻： 124  号： 28  ページ： 15275-15284  発行年： 2020年 
JST資料番号： W1877A  ISSN： 1932-7447  CODEN： JPCCCK  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 化学センサーとして作用するMoS_2単分子層上に物理吸着したNO_2のポテンシャルエネルギー面は,類似の吸着エネルギー(ΔE_ads)と電荷移動特性を有するいくつかの配置と複雑であった。したがって,これはモデル化の難しいシステムであると考えられる。強い吸着および/または増強された電荷移動が起こる任意のサイトを同定するために,エネルギー表面の注意深い探索が必要であり,それはセンサ操作に影響するであろう。これを超えると,MoS_2上に弱く吸着した分子に対する最低エネルギー配置を効率的に同定できる一般的な計算アプローチが必要である。本研究では,計算法を最初に注意深く試験した。次に,ab initio分子動力学シミュレーションを用いて,ΔE_adsの増加およびNO_2-MoS_2分離の減少の間の近似相関を利用する配置空間の不偏サンプリングを行った。NO_2の表面拡散を促進するが,迅速な脱着ではない225Kのシミュレーション温度は,ほぼ理想的であるように見える。一連のシミュレーションは,比較的小さな分離を有するいくつかの過渡配置を同定し,これらの各々を評価し,以前に報告された吸着モデルと比較した。最高のΔE_adsを持つ明確な構造を同定し,キャラクタライズし,吸着と表面構造への更なる洞察を,価電子帯最大での電荷密度と電荷密度に対するNO_2の影響を計算することにより得た。これらの結果をMoS_2層間のNO_2のインターカレーションの予備調査に拡張した。これはエネルギー的に不利であり,300Kで2H MoS_2二分子層を不安定化することが分った。しかし,0Kで緩和すると,層間挿入NO_2が層積層に影響し,単分子層上の吸着に関連する電荷移動を増加させることが分かった。センサ応用に対するこれらの結果の意味を簡潔に論じた。Copyright 2020 American Chemical Society All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： *吸着 ,  シミュレーション ,  電荷移動 ,  表面拡散 ,  表面構造 ,  計算機シミュレーション ,  *単分子層 ,  二分子層 ,  近似法 ,  価電子バンド ,  ポテンシャルエネルギー面 ,  物理吸着 ,  インターカレーション ,  吸着エネルギー
準シソーラス用語： 電荷密度 ,  分子動力学シミュレーション , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (5件)： 物理的手法を用いた吸着の研究  (CB12043P) ,  固体デバイス材料  (NC03020K) ,  分子の電子構造  (BH05010Q) ,  物理化学一般その他  (CB01030T) ,  吸着の電子論  (CB12042Y)

タイトルに関連する用語 (4件)： 単分子層 ,  吸着 ,  計算 ,  研究