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J-GLOBAL ID：202002210483915724   整理番号：20A1920524

効率的なH_2発生のための水和WO_3ナノプレートのin situ硫化により構築した層状WS_2/WO_3Z-スキーム光触媒【JST・京大機械翻訳】

Layered WS₂/WO₃ Z-scheme photocatalyst constructed via an in situ sulfurization of hydrous WO₃ nanoplates for efficient H₂ generation

著者 (9件)： Zhang Shuai (College of Chemistry and Molecular Sciences, Hubei Key Lab on Organic and Polymeric Optoelectronic Materials, Wuhan University, Wuhan 430072, PR China) ,  Zhang Shuai (Research Institute of Wuhan University in Shenzhen, Wuhan University, Shenzhen 518057, PR China) ,  Chen Shengtao (College of Chemistry and Molecular Sciences, Hubei Key Lab on Organic and Polymeric Optoelectronic Materials, Wuhan University, Wuhan 430072, PR China) ,  Chen Shengtao (Research Institute of Wuhan University in Shenzhen, Wuhan University, Shenzhen 518057, PR China) ,  Liu Dong (College of Chemistry and Molecular Sciences, Hubei Key Lab on Organic and Polymeric Optoelectronic Materials, Wuhan University, Wuhan 430072, PR China) ,  Liu Dong (Research Institute of Wuhan University in Shenzhen, Wuhan University, Shenzhen 518057, PR China) ,  Zhang Jing (College of Chemistry and Molecular Sciences, Hubei Key Lab on Organic and Polymeric Optoelectronic Materials, Wuhan University, Wuhan 430072, PR China) ,  Peng Tianyou (College of Chemistry and Molecular Sciences, Hubei Key Lab on Organic and Polymeric Optoelectronic Materials, Wuhan University, Wuhan 430072, PR China) ,  Peng Tianyou (Research Institute of Wuhan University in Shenzhen, Wuhan University, Shenzhen 518057, PR China)
資料名： Applied Surface Science  (Applied Surface Science)
巻： 529  ページ： Null  発行年： 2020年 
JST資料番号： B0707B  ISSN： 0169-4332  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 天然光合成を模倣するためのZスキーム光触媒上の太陽駆動H_2生産は,クリーン水素エネルギーの生産への有望なアプローチである。しかし,効率的なH_2発生のための密接な界面接触と円滑な電荷移動を有するZ-スキームヘテロ構造の作製は依然として困難である。ここでは,2H構造(2H-WS_2)を有する単斜晶WO_3(m-WO_3)ナノプレートと数層六方晶WS_2を含む一連の層状WS_2/WO_3ヘテロ構造を,含水WO_3ナノプレートのその場硫化プロセスを介して構築した。2つの部分(2H-WS_2とm-WO_3)の間の電子相互作用は,WS_2/WO_3ヘテロ構造の光励起電荷キャリアのレドックス能力を弱めることなく電荷再結合を遅延させる直接Zスキーム機構に従う。さらに,”S-W-O”遷移層による2H-WS_2とm-WO_3の間の厚みがε≦4.2nmで,2H-WS_2とm-WO_3の間の密接な界面接触が,さらに,短縮された電荷移動経路と滑らかな界面電荷移動を提供でき,次に,Z-スキーム機構の効果的な操作を可能にする。従って,最適成分比を有するWS_2/WO_3Z-スキーム光触媒は,数層2H-WS_2単独よりも約5倍高いH_2発生活性をもたらした。本研究は,密接な界面接触,滑らかな電荷移動および改善された光触媒性能を有する統合ナノ構造ヘテロ構造を構築するための有望な戦略を提供した。Copyright 2020 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： 界面 ,  太陽 ,  電荷移動 ,  *水和 ,  触媒活性 ,  *硫化 ,  酸化還元反応 ,  単斜晶系 ,  六方晶系 ,  *光触媒 ,  ナノ構造
準シソーラス用語： ヘテロ構造 ,  電荷キャリア ,  *ナノプレート ,  *Z-スキーム , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (5件)： WS_2/WO_3ヘテロ構造 ,  光触媒 ,  Zスキーム機構 ,  水素発生 ,  硫化プロセス

分類 (2件)： 光化学一般  (CB08010U) ,  下水,廃水の化学的処理  (SC03050W)

タイトルに関連する用語 (6件)： 水和 ,  ナノプレート ,  硫化 ,  構築 ,  層状 ,  光触媒