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J-GLOBAL ID：202002210611284930   整理番号：20A2006428

プラズマ浸漬イオン注入により達成した良く挙動したGe n+/p浅い接合【JST・京大機械翻訳】

Well-behaved Ge n⁺/p shallow junction achieved by plasma immersion ion implantation

著者 (6件)： Chen Yi-Ju (Institute of Electronics, National Chiao Tung University, Hsinchu, 300, Taiwan) ,  Liao Hsiu-Hsien (Institute of Electronics, National Chiao Tung University, Hsinchu, 300, Taiwan) ,  Tsui Bing-Yue (Institute of Electronics, National Chiao Tung University, Hsinchu, 300, Taiwan) ,  Lee Yao-Jen (Taiwan Semiconductor Research Institute, Hsinchu, 300, Taiwan) ,  Wang Chih-Jen (Taiwan Semiconductor Research Institute, Hsinchu, 300, Taiwan) ,  Sung Po-Jung (Taiwan Semiconductor Research Institute, Hsinchu, 300, Taiwan)
資料名： Vacuum  (Vacuum)
巻： 180  ページ： Null  発行年： 2020年 
JST資料番号： E0347A  ISSN： 0042-207X  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 本研究では,従来のイオン注入(CII)とプラズマ浸漬イオン注入(PIII)により作製したGen+/p接合を比較した。低接合漏れ電流を達成するために,PIII注入Ge n+/p接合は,Shockley-Read-Hall生成電流を除去するより高いアニーリング温度を必要とし,それは残留水素と水素関連欠陥に寄与する可能性がある。500°Cのアニーリングで,超浅い接合深さ(<50nm)を有する良く挙動したGe n+/p接合がPIIIによって達成できることを実証した。600°Cのアニーリングで,電流オン/オフ比Δ≦9×105と理想因子ΔΔ1.07の最良のGen+/p接合性能をPIIIによって達成した。Copyright 2020 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： 焼なまし ,  接合 ,  電流 ,  ゲルマニウム ,  水素 ,  *イオン注入 ,  漏れ電流
準シソーラス用語： アニーリング温度 ,  *浅い接合 ,  理想因子 , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (4件)： ゲルマニウム ,  イオン注入 ,  接合 ,  プラズマ浸漬イオン注入

分類 (5件)： その他の物質の放射線による構造と物性の変化  (BK16124V) ,  固体の機械的性質一般  (BL01021C) ,  半導体のルミネセンス  (BM08092S) ,  プラズマ応用  (BJ02110K) ,  その他の無機化合物の薄膜  (BK14060A)

タイトルに関連する用語 (4件)： プラズマ浸漬イオン注入 ,  挙動 ,  Ge ,  浅い接合