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J-GLOBAL ID:202002210803188841   整理番号:20A1751192

高性能計算のためのInFOSoW(System-on-Wafer)【JST・京大機械翻訳】

InFO_SoW (System-on-Wafer) for High Performance Computing
著者 (9件):
資料名:
巻: 2020  号: ECTC  ページ: 1-6  発行年: 2020年 
JST資料番号: W2441A  資料種別: 会議録 (C)
記事区分: 原著論文  発行国: アメリカ合衆国 (USA)  言語: 英語 (EN)
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高性能計算のための電力と熱モジュールを有する既知の良好なチップアレイを統合するために,新しいウエハスケールシステム統合ソリューション,InFO_SoW(System-on-Wafer)の開発に成功した。FO_SoWは,キャリア自体として役立つことによって基板とPCBの使用を除去する。コンパクトなシステム内の密充填多重チップアレイは,低待ち時間チップ対チップ通信,高帯域幅密度,低PDNインピーダンスなどのウエハスケール利点を,より大きな計算性能と電力効率のために再獲得することを可能にする。不均一チップ統合に加えて,そのウエハフィールド処理能力は,より大きなコスト節約と設計柔軟性のためのチップレットベースの設計を可能にした。本論文は,InFO技術による産業の最初のウエハ規模システム統合パッケージを実証した。電気的キャラクタリゼーションの結果は,InFO_SoWの超大規模パッケージにわたって良好なプロセス均一性を明らかにした。それは,InFO RDLのより低い表面粗さのために,30mmの長さを有する相互接続のおよそ15%の電力節約を有するとシミュレートする。コンパクトなシステムにおけるこのような高出力の熱管理を,スケーラブルな概念実証(POC)熱ソリューションを通して検証した。POC熱解は,ダミー加熱器の最大温度が90°C以下に保たれているので,2から5アレイダミーヒーターの7000Wを散逸するその能力を証明した。さらに,InFO_SoW構造ロバスト性を,InFOウエハレベル迅速トーチとシステムレベル信頼性試験の両方を通して検証した。その超大規模パッケージサイズにもかかわらず,熱機械的チップパッケージ相互作用(CPI)シミュレーション研究は,InFO_SoWが,先進Siノードを有する適格フリップチップパッケージと比較して,比較的低いリスクを持つことを明らかにした。Copyright 2020 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】
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分類 (1件):
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図形・画像処理一般 
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