[数式:原文を参照]および[数式:原文を参照]単分子層における磁気基底状態  カルコゲン原子における反平行磁気モーメント【JST・京大機械翻訳】

Aras Mehmet; Kilic Cetin; Ciraci S.

文献

J-GLOBAL ID：202002210831582504 整理番号：20A0599208

[数式:原文を参照]および[数式:原文を参照]単分子層における磁気基底状態カルコゲン原子における反平行磁気モーメント【JST・京大機械翻訳】

Magnetic ground state in [Formula : see text], and [Formula : see text] monolayers: Antiparallel magnetic moments at chalcogen atoms

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著者 (3件)： , ,
資料名：
巻： 101 号： 5 ページ： 054429 発行年： 2020年
JST資料番号： D0746A ISSN： 2469-9950 CODEN： PRBMDO 資料種別：逐次刊行物 (A)
記事区分：原著論文発行国：アメリカ合衆国 (USA) 言語：英語 (EN)

オンサイトCoulomb相互作用に対するHubbardU補正の有無によるハイブリッド及び半局所密度汎関数法計算の結果に基づく解析は,不均一磁気モーメント配置を構成する三つの遷移金属ジカルコゲナイド単分子層,すなわち[数式:原文を参照]及び[数式:原文を参照]の真の磁気基底状態を明らかにした。遷移金属原子の磁気モーメントのみを考慮した以前の研究とは対照的に,それ自身によるカルコゲン原子は,[数式:原文を参照]ハイブリダイゼーションによるスピン分極による顕著な反平行磁気モーメントを有する。後者は[数式:原文を参照]と[数式:原文を参照]単分子層のH相とT相の両方に対して真であることが分かった。著者らの予測は,その最低エネルギー構造における[数式:原文を参照]単分子層が半金属であることを示し,それは圧縮および引張歪の両方で優勢である。半金属性は[数式:原文を参照]二分子層でも生じたが,より厚い多層では消失した。[数式:原文を参照]単分子層は磁性半導体である。それは,異なるスピン分極に対して異なる特性と幅の2つの異なるバンドギャップを持つ。非磁性金属として知られている[数式:原文を参照]単分子層は小さい磁気モーメントをもつ磁性金属である。興味深い電子的および磁気的性質を有するこれらの単分子層は,スピントロニクス応用のための新しい機能性を達成することができる。Copyright 2020 The American Physical Society All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

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金属結晶の磁性

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[数式:原文を参照]および[数式:原文を参照]単分子層における磁気基底状態 カルコゲン原子における反平行磁気モーメント【JST・京大機械翻訳】

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