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J-GLOBAL ID：202002210860199893   整理番号：20A1955334

デューティサイクル変調出力を持つ動的バイアス抵抗ベースCMOS温度センサ【JST・京大機械翻訳】

A Dynamic-Biased Resistor-Based CMOS Temperature Sensor With a Duty-Cycle-Modulated Output

著者 (6件)： Tang Zhong (Institute of VLSI Design, Zhejiang University, Hangzhou, China) ,  Fang Yun (Institute of VLSI Design, Zhejiang University, Hangzhou, China) ,  Yu Xiao-Peng (Institute of VLSI Design, Zhejiang University, Hangzhou, China) ,  Shi Zheng (Institute of VLSI Design, Zhejiang University, Hangzhou, China) ,  Lin Ling (Department of Analog IC Design, Vango Technologies Inc., Hangzhou, China) ,  Tan Nick Nianxiong (Institute of VLSI Design, Zhejiang University, Hangzhou, China)
資料名： IEEE Transactions on Circuits and Systems 2: Express Briefs  (IEEE Transactions on Circuits and Systems 2: Express Briefs)
巻： 67  号： 9  ページ： 1504-1508  発行年： 2020年 
JST資料番号： W0347A  ISSN： 1549-7747  CODEN： ITCSFK  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： デューティサイクル変調出力を持つ抵抗器ベースのCMOS温度センサを示した。動的バイアス抵抗アナログフロントエンド(AFE)を提案し,正および負の温度依存性を有する電圧を生成した。次に,電圧をデジタルシステムによって直接進行できるデジタルに優しいデューティサイクル変調出力に変換した。標準0.13μm CMOSプロセスで作製すると,このセンサは0.025mm2のシリコン面積を占め,0.8Vの低い供給電圧で動作できる。それは,2点キャリブレーションの後,-40°Cから85°Cまで±0.85°C(3σ)の測定した不正確性を有した。室温で測定したところ,12.5μWを散逸しながら,0.25msの転換時間で0.226°Cの分解能を示した。Copyright 2020 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： 電圧 ,  ケイ素 ,  抵抗器 ,  分解能 ,  温度依存性 ,  ディジタル系 ,  ディジタル方式 ,  センサ ,  温度センサ ,  *CMOS ,  温度計 ,  計測器
準シソーラス用語： 供給電圧 ,  *デューティサイクル ,  アナログフロントエンド ,  バイアス抵抗 , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (2件)： 無線通信一般  (ND08010L) ,  通信網  (ND07030A)

タイトルに関連する用語 (5件)： デューティサイクル ,  変調 ,  バイアス抵抗 ,  CMOS ,  温度センサ